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基于标准SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的闲值电压进行补偿,得到该电压源.此基准电压源电路仅使用NMOS和PMOS晶体管来实现.在-40~+80℃的温度变化范围内,它的温漂系数约为6.12 ppm/℃. 相似文献
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天线效应(PAE)是超深亚微米IC设计后端设计流程中的一个关键问题。该文具体分析了在芯片制造过程中产生天线效应的原因和影响因素,根据其产生机理提出了四种消除天线效应的方法,同时还给出了设计中的天线规则和天线比率的具体计算方法。在真实的设计实例中,运用该方法解决了设计中存在的天线效应问题,证明了它的切实可行性。 相似文献
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引信钢珠式离心自炸机构的设计与应用研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文简述了钢珠式离心自炸机构的构造作用原理及国内外的发展应用现状。具体介绍了机构的设计原则、步骤和计算方法;机构主要零件在设计和工艺上应予注意解决的关键问题;以及机构性能试验的方法和要求。同时详细分析了影响机构自炸时间的主要因素及其对机构应用的实际意义。 相似文献
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LVDS即低压差分信号,因其固有的优点在对信号完整性及共模特性要求较高的系统中得到了越来越广泛的应用.由于非理想传输线和焊盘寄生效应的影响,输出波形有抖动且共模电压无法稳定.设计的LVDS驱动器采用一种新型预加重技术,通过引入高频极点的方法降低输出抖动,输出较为平滑的波形;而且共模反馈可以稳定共模电压.在0.18μm的工艺下,抖动减小70mV,共模电压偏移小于0.46%. 相似文献