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1.
严百平  陈治明 《电子学报》1999,27(8):123-125
提出了一种新的具有功率因数补偿(PFC)功能的零电压开关(ZVS)AC-DC变换器基于不连续导电模式(DCM)下的Boost环节实现PFC功能,但其具有ZVS机制从而解决了DCM下因开关关断大的峰值电流引起的关断同、EMI严重的问题,同时还消除了由于开关的寄生电容引起的开通损耗,该变换器可以采用通用控制芯片并工作在PWM模式,文中分析了提出变换器的工作原理,并给出了基本设计原则,模拟和实验结果证明  相似文献   
2.
高功率因数DCM单级boost正激组合变换器的临界条件   总被引:1,自引:1,他引:0  
刘健  严百平  王兆安 《微电子学》1999,29(2):101-105
从能量的角度,对单极boost正激组合变换器进行了稳态分析,获得了其临界条件以及输入电流等的严格解析表达式,并以指数函数近似的方法,将上述表达式化简为非常便于利用的形式。实验结果验证了理论分析的正确性。  相似文献   
3.
非耦合开关电容CuK-DC-DC变换器和普通CuKDC-DC变换器相比,其输入输出电感可工作在独立的导电模式。由于它的导电模式不同于任何现有的变换器,因此本文对这种变换器的临界条件进行了详细分析,实验结果证实了理论分析。  相似文献   
4.
基于非关联开关电容CukDC-DC变换器,本文提出一种新的功率因子校正(PFC)电路-非关联SC-CukPFC电路。和普通PFC Cuk电路相比,该电路不需要变压器也可以实现大的输入输出电压变化,即使电路工作在较大的开关导通比。提出电路的输入电感工作在不连续导电模式(DCM),而输出电感工作在连续导电模式(CCM)。本文对提出的PFC电路的工作原理进行了详细分析。实验结果证实了文中的理论分析。  相似文献   
5.
1IntroductionSwitchingsuppliesarethemostpromisingpowersupplyingcomponentsforcomputersystems.Butswitchingsuppliesusuallyproducemuchharmonicsharmfultopowernetwork.Addingaharmoniccompensationparttoremoveharmonicsmaysolveaboveproblem.PassivefiltersconsistingofabankoftunedLCfilterand/orahighpassfilterhavebeenbroadlyusedtosuppressharmonics[1],howevertheyhavemanydisadvantages.Activepowerfiltershavetheabilitytoovercomethedrawbacksinherentinpassivefilters.Mostoftheactivepowerfiltersarebasedoncompensa…  相似文献   
6.
单位功率因数单相开关变换器的输出电压纹波   总被引:11,自引:2,他引:9  
分别采用功率匹配的方法和等效电流源的该当,对含功率因数校正(PFC)五节的单位功率因数单相开关变换器的输出电压纹液进行了深入分析,得出对各种拓扑结构的单位功率相开关变换器和各种控制方法均适用的统一表达式。结果表明:单位功率因数单相开关变换器的输出电压纹波取决于输出电流和输出滤波电容的大小,而与所采用的控制方式无关。  相似文献   
7.
改进的电压跟随器PFC Cuk AC-DC变换器   总被引:5,自引:2,他引:3  
提出了一种改进的电压跟随器PFCCukAC-DC变换器,其输入电感工作在不连续导电模式以实现PFC功能,而输出电感工作在连续导电模式从而降低了功率器件的应力,同时可减小开关损失。文中论述了所提出的新方法实现PFC的机理;推导出保证电路实现功率因数接近1的临界条件。SPICE仿真和实验结果证实了分析的正确性。  相似文献   
8.
开关电容DC-DC变换器的设计方法   总被引:2,自引:1,他引:1  
刘健  陈治明  严百平 《电子学报》1999,27(4):102-105,119
在对开关电容DC-DC变换器进行稳态分析的基础上,研究了面向设计的几个关键技术问题,提出了开关电容DC-DC变换器的设计方法,并通过了实验和仿真的手段加以验证。  相似文献   
9.
TC4钛合金在慢速率形变下的银脆行为   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用慢应变速率拉伸试验(SSRT)并结合断口分析,研究了镀银方式、镍阻挡层、表面压应力和温度等因素对TC4钛合金固态银致脆(SSIE)行为的影响,并对SSIE机制进行了理论分析。结果表明,在28×10-6·s-1慢速率提伸条件下,TC4于350℃以上表现出较显著的SSIE敏感性,SSIE下限温度约为280℃。银与TC4表面紧密结合是产生SSIE的必要条件。电镀(EP)银可引起TC4氢脆(HE)和SSIE双重破坏作用。镍阻挡层对TC4的SSIE裂纹萌生有一定抑制作用。TC4合金SSIE过程速率由银在裂纹表面自扩散速率与裂尖氧化膜破裂速率的相对大小决定。  相似文献   
10.
严百平  陈治明  刘健 《电子学报》1999,27(8):123-125
提出了一种新的具有功率因数补偿(PFC)功能的零电压开关(ZVS)AC-DC变换器,该变换器基于不连续导电模式(DCM)下的Boost环节实现PFC功能,但其具有ZVS机制,从而解决了DCM下因开关关断大的峰值电流引起的关断损耗高、EMI严重的问题,同时还消除了由于开关的寄生电容引起的开通损耗.该变换器可以采用通用控制芯片并工作在PWM模式.文中分析了提出变换器的工作原理,并给出了基本设计原则.模拟和实验结果证明了提出的电路是可行的.  相似文献   
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