ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.     

FeNiCrSiB非晶软磁合金薄带的巨磁阻抗效应

研究了ＦｅＮｉＳｒＳｉＢ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗效应。磁阻抗比ΔＺ／Ｚｓ不仅与样品的磁特性有关,而且与交变电流频率ｆ和外加直流磁场Ｈ有密切的关。对退火温度为３５０℃,退火时间为９０ｍｉｎ的样品,在交变电流频率为２ＭＨｚ下,磁阻抗比ΔＺ／Ｚｓ＝（Ｚ０－Ｚｓ）／Ｚｓ最高可达５３．７％。     

Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

研究了Ｃｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应。样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的ＧＭＩ效应。在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下,获得了最大的ＧＭＩ效应,磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％。在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在１００ｋＨｚ下,磁电感比达到７６９％。在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在１３     

一种含钯有机金属液晶的制备与表征

利用偶氮液晶基元4-丁氧基-4’-（ω-羟基己氧基）-偶氮苯（简称C4）与过渡金属钯（Ⅱ）发生螯和反应得到一种新型有机金属液晶（简称PdC4），并利用红外光谱（IR），紫外吸收光谱（UV），核磁共振（^1HNMR）和元素分析（EA）对其进行了结构表征，又利用偏光显微镜（PoM）和差式扫描量热法（DSC）对其液晶相行为进行了研究，确定了其液晶区间为K132N190I188N130K，发现其熔点和清亮点均高于液晶基元，同时液晶区间也宽于液晶基元的区间。     

La0.67 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中Dy的置换作用

在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究。结果发现，随掺Dy量的增加，两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降，峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中，掺入13％的Dy后，在5T的磁场下，最大磁电阻比达到7900％。在Ba系样品中．掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释，但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。     

ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.     

Fe—Cu—Cr—V—Si—B三明治膜的巨磁阻抗效应

用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗（GMI）效应,研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系,在5MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%。由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向。     

纳米Fe-ZnSe颗粒膜的光学特性

研究了射频溅射法制备的纳米"铁磁金属一半导体基体"Fex(ZnSe)1-x颗粒膜的光学特性.透射光谱测量结果表明,当Fe体积分数为35%时,颗粒膜样品的可见光透过率达到50%以上.研究发现,在ZnSe薄膜基体中嵌入纳米铁颗粒的Fe-ZnSe颗粒膜中,电子的带间跃迁为直接跃迁,其带隙随着Fe在颗粒膜中所占体积分数的增加而变宽.     

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响，样品在不同条件下进行了退火热处理，结果表明，在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性，从而得到了最大的GMI效应，在800KHz的交变电流频率下，得到了236%的最大磁阻抗比，在低场下，材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT。