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1.
为研究干式空心电抗器匝间绝缘的电老化规律,进行了干式空心电抗器匝间绝缘模型试样的起始局部放电电压及击穿试验。采用恒定电压法及阶梯电压法进行了局部放电发生后干式空心电抗器匝间绝缘的电老化寿命试验,求得两种老化方式下的电老化反幂寿命方程。分析并试验验证了两个寿命方程存在差别的原因,并修正了局部放电发生后恒定电压下干式空心电抗器匝间绝缘模型试样的电老化反幂寿命方程。研究结果表明:发生局部放电时,干式空心电抗器匝间绝缘的电老化规律不符合反幂寿命模型,耐压寿命指数N及常数C随着试验电压的升高而增大;各种过电压下可能出现的局部放电对干式空心电抗器匝间绝缘材料的危害很大,可以通过改进制造工艺提高起始局部放电电压、选用耐局部放电能力强的绝缘材料作为匝间绝缘或者加装过电压抑制装置限制过电压幅值等方法延长干式空心电抗器匝间绝缘的使用寿命。  相似文献   
2.
目的:本实验通过研究温湿度动态变化条件下糙米储藏过程中主要生理生化指标的变化,为优化糙米安全储藏条件提供基础数据。方法:将初始水分质量分数分别为15%、17%、19%和21%的糙米,分别在低温动态组(L组)、中温动态组(M组)、高温动态组(H组)3?种不同温湿度动态条件下模拟储藏240?d,观测糙米发芽率、脂肪酸值、过氧化氢酶活力等主要品质指标和低场核磁共振水分迁移规律的变化。结果:在240?d的储藏过程中,随着储藏时间的延长,发芽率、过氧化氢酶活力呈显著下降趋势,脂肪酸值呈先上升后下降的趋势,糙米品质发生劣变。初始水分质量分数高的糙米其自由水的质量分数要高于初始水分质量分数低的糙米;高温会引起水分迁移混乱,吸附水向自由水迁移,自由水质量分数升高。水分质量分数越高、温度越高,糙米就越容易发生霉变变质。储藏温度对发芽率、脂肪酸值、过氧化氢酶活力有显著影响,初始水分质量分数对发芽率、脂肪酸值有显著影响。结论:初始水分质量分数和储藏温度对糙米的品质特性影响显著。为防止糙米发生品质劣变,正常水分(质量分数15%)和偏高水分(质量分数17%、19%)的糙米安全储藏期为120?d,低温或中温可以延长正常水分糙米储藏期至180?d。  相似文献   
3.
为研究投切干式空心电抗器过程中产生的指数衰减振荡过电压对匝间绝缘的影响,制作了模拟实际干式空心电抗器匝间绝缘结构的试样模型,搭建了指数衰减振荡过电压试验平台和局部放电测试平台,研究投切过电压累积作用下匝间绝缘局部放电特性参数的变化规律并进行验证性试验。结果表明:投切过电压导致干式空心电抗器匝间绝缘强度大幅下降,应减少投切次数或采取措施限制投切过电压幅值;综合多个局部放电特征参数的变化规律可以表征过电压累积作用导致匝间绝缘老化的程度;过电压作用下发生的局部放电是导致匝间绝缘老化的主要原因之一。通过提高匝间绝缘局部放电起始电压的方法增强绝缘,为电抗器改进制造工艺提供参考。  相似文献   
4.
集合经验模态分解(EEMD)近年来被大量应用于声发射等非平稳信号处理和管道机械故障诊断领域,针对EEMD中低频部分存在的模态混叠问题,提出了一种改进停止准则的EEMD算法。该方法将所添加的高斯白噪声进行EMD分解,得到分解结果的最小绝对和,通过改进停止准则,提高EEMD结果的准确性。仿真结果表明:该方法相比Huang和Torres的方法更准确。  相似文献   
5.
为提高管道泄漏声发射定位精度,针对管道泄漏声发射信号的非平稳特性,提出了基于经验模态分解(EEMD)的声发射管道泄漏定位新方法;该方法将管道泄漏产生的声发射(AE)信号进行小波去噪,经EEMD分解为若干个本征模态函数(IMF),对具有实际物理意义的IMF进行重构,通过互相关法确定时差进行定位;仿真和实验表明:该方法消除了直接相关法和经验模态分解(EMD)方法的缺点,提高了定位精度。  相似文献   
6.
匝间绝缘击穿是干式空心电抗器匝间绝缘故障的最终表现形式,过电压下的局部放电是引起匝间绝缘损伤的主要因素之一。为研究干式空心电抗器匝间绝缘局部放电随电压变化的发展规律,在局部放电屏蔽室内搭建了试验平台。参照35 k V干式空心电抗器匝间绝缘的工艺制造要求,制作了匝间绝缘局部放电试验模型,采用阶梯升压方式,利用数字式局部放电检测仪采集信号,得出了不同加压持续时间下最大放电量、平均放电量和放电重复频率的变化特征以及二维图谱Hqmax(φ)、Hqn(φ)、Hn(φ)、放电幅值灰度图和放电能量灰度图的信息。  相似文献   
7.
搭建空气放电实验平台,并构建仿真模型,通过实验和仿真对低温次大气压不均匀电场空气流注放电特性展开研究。结果表明:当约化场强E/N相同时,海拔高度与流注分叉数目、流注传播速度、电流峰值以及电流衰减时间均呈负相关,与流注半径呈正相关,但仿真得到的流注传播速度和电流与实际相比略有不同;预电离区域的存在导致针-板和针-针电极结构下的放电形态不同;随着方波电压频率的增大,二次放电通道对于一次放电通道的依赖性逐渐增大。随着方波电压占空比的增大,二次放电通道仅在一次放电通道尾部有所体现。  相似文献   
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