电磁冶金技术研究新进展

电磁冶金技术是高品质钢生产的必备手段。本文综述了近年来电磁冶金技术的发展,围绕连铸的全流程,包括中间包电磁净化钢液、水口控流、结晶器内电磁搅拌和电磁制动等磁场控制流场、电磁软接触结晶器连铸、电磁场调控凝固组织、电磁场下固态相变及组织控制在内各方面,阐述了电磁场作用的机理,分析了应用电磁场技术的原理和特点,在电磁场控制流场领域提出了多模式定制磁场的概念,以满足高品质钢连铸中复杂状态的要求。在静磁场控制凝固组织领域提出应用强磁场热电磁力的新原理,并指出电磁冶金技术的发展需结合大数据的人工智能以更好发挥作用。     

纵向强磁场对Al-0.85％Cu合金定向凝固界面稳定性和形态的影响

研究纵向稳恒强磁场在定向凝固Al-0.85%Cu(质量分数)合金平面晶-胞晶转变过程中,对界面失稳程度及胞晶形貌的影响.结果表明随着磁场强度的增加,界面失稳程度先变小后变大,最后又变小;磁场强度为1T时,界面失稳程度最大,胞晶间距先减小后增大;磁场强度为4T时,胞晶间距达到最小值;同时,磁场也使得胞晶形貌变得不规则.采用磁阻尼效应和热电磁对流(TEMC)相互竞争的机制来解释相关现象.     

基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器

采用0.13 μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8 Mb相变存储器.1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50 F2.外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路.Set和Reset操作电流分别为0.4 mA和2 mA.读出操作的电流为10 μA,芯片疲劳特性次数超过了1...     

关于住居能源碳排放量影响因素的研究——基于中国省际面板数据的实证分析

以中国省级行政单位为研究对象对与居民生活息息相关的住居领域内所产生的能源消费与CO2排放的地区间差异性进行研究,并在此基础上对产生这一差异性的影响因素进行了深入的分析。以人均碳排放量为因变量,分别从人口、社会和经济特征及区域环境特征两大方面出发选取了10个影响因素作为自变量构建了从2002—2011年10年间以全国28个省份为对象的4个均衡面板数据模型并进行了估计分析。从模型估计结果来看,个人属性以及家庭结构等都对住居领域的碳排放有着显著性的影响;城镇居民的人均住宅建筑面积越大其碳排放量就越高。基于此,研究认为在制定有关节能减排措施时,要充分考虑到个人属性、家庭结构等人口和社会经济性因素以及住宅类型、城市形态等区域环境因素所带来的影响,根据各个地区不同的经济发展水平和实际情况因地制宜地制定和实施节能减排政策。     

固定式真空绝热低温容器的支撑结构

介绍了几种应用在固定式真空绝热低温容器中的支撑结构以及降低支撑构件漏热的方法和构件选材的原则,并针对立式和卧式容器各种支撑形式的结构特点、绝热性能、受力特点,以图例的形式逐一介绍。     

横向磁场对镍基高温合金定向凝固组织的影响

研究了横向磁场对镍基高温合金DZ417G定向凝固显微组织的影响. 在较低生长速率条件下, 磁场显著影响合金的枝晶生长和宏观偏析. 施加磁场后一次枝晶间距减小并在沿磁场方向试样的左侧出现了“斑状”偏析. 随着生长速率的增加, 磁场的影响减弱. 从磁场在合金熔体中诱发热电磁对流, 并影响枝晶生长的角度对实验结果进行了分析.     

Ring--Like Solidification Structure Of Mnbi Phase In Bi—Mn Alloy Under A High Magnetic Field

对强磁场作用下Bi-Mn合金分别从全熔态和从固液两相区开始的凝固过程及其组织的实验研究表明，磁场使初生MnBi相在试样外侧呈环状偏聚，其自身生长为棒状，棒的长轴沿磁场方向呈定向规则排列，而试样心部基本无初生MnBi相。在Curie点以上开始进行较慢的凝固时，由片状聚合而成的棒状MnBi具有单晶特征。对以上现象的形成原因进行了分析。     

Al-18%Si合金在梯度强磁场中凝固时初生硅的行为

研究了Al-18%Si合金在10 T梯度强磁场下加热至半固态和全熔态后的凝固过程,观察了初生硅的分布和形态,测定了其冷却曲线.结果表明:在磁场的磁感应强度和磁场梯度的乘积Bz·dBz/dz为正时,初生硅向上部聚集;而在Bz·dBz/dz为负时,初生硅向下部聚集;在强磁场下,加热至全熔态冷却下来的凝固组织中初晶硅的形态发生了明显的改变,由板片状转变为块状,初晶硅显著细化.对强磁场细化初晶硅的机制进行了探讨.     

一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。