一种1kb相变存储芯片的设计

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1 kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片.该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能.测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达...     

基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器

采用0.13 μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8 Mb相变存储器.1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50 F2.外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路.Set和Reset操作电流分别为0.4 mA和2 mA.读出操作的电流为10 μA,芯片疲劳特性次数超过了1...     

铜冶炼闪速炉余热锅炉辐射室的仿真与优化

针对闪速炉余热锅炉辐射室,利用计算流体力学软件Fluent对余热锅炉内流场和温度场的分布进行数值模拟,为研究余热锅炉内的传热与传质提供了理论依据,并以此为基础对余热锅炉进行结构优化。     

晨静甲消毒液刺激性试验研究

目的：应用晨静甲消毒液对实验兔皮肤、阴道黏膜进行刺激试验,为其消毒液的生产和应用提供依据。方法：依据消毒技术规范（2002年版）进行一次破损皮肤刺激试验、多次皮肤刺激试验、阴道黏膜刺激试验。结果：实验兔一次破损皮肤刺激试验反应积分为0;多次皮肤刺激试验反应积分为0;阴道黏膜刺激试验反应积分为0。结论：在本试验条件下,该消毒液无刺激性。     

基站天线远程电调技术的实践与应用

天线远程电调技术是提高无线网络优化和维护效率的重要技术,对提高优化准确性和减小优化的工作量具有重要作用.本文介绍了天线远程电调技术原理的组网方案,并结合基站站点建设描述了建设过程中遇到的问题和解决方案,为天线远程电调建设提供参考.     

多尺度注意力机制的电子元器件深度迁移识别方法

电子元器件的识别对于现代电子产品的智能生产和制造具有重要的作用,为了进一步获取电子元器件图像的关键特征,提升图像细粒度表达能力,提出一种基于多尺度注意力机制深度迁移识别方法。以Xception为主干网络架构,引入多尺度池化通道注意力和多尺度空间注意力模块,结合空间金字塔池化的思想,对特征图的每个通道进行不同尺度的最大池化和均值池化,获取通道方向上不同尺度的特征信息;在空间层面上进行不同尺度的空洞卷积,增大特征图的感受野,获取更加全面的空间特征信息;通过深度迁移学习,实现特征参数共享,进一步提高模型的泛化能力。在5种常见的电子元器件数据集上进行实验,结果表明,所提方法能有效获取图像不同尺度的显著特征信息,提升识别效果。     

采用射频直采技术的超宽带软件无线电平台

针对现代无线电系统对超宽带、可重构、多功能等需求日益增长的问题,基于射频直接采样技术,构建了一套符合PXI(PCI extensions for Instrumentation)标准的通用化超宽带软件无线电平台,硬件上以数模转换芯片AD9173和模数转换芯片ADC083000为核心,直接采样率高达3 Gsample/s;采用20 nm工艺制程的UltraScale Kintex FPGA,以IP(Intellectual Property)化开发理念设计FPGA固件,实现用户可编程。该平台能够满足0.1~1.4 GHz超宽带软件无线电应用需求,瞬时带宽高达1.3 GHz。     

江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐暴露风险评估

目的评估江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐的暴露水平和潜在健康风险。方法利用2012—2016年江西省食品中山梨酸及其钾盐含量数据、2016年江西省居民食物消费量调查数据,采用简单分布评估法计算江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐的暴露水平,并进行健康风险评估。结果江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐每日平均暴露量及每日高暴露量(P95)分别为0.031和0.085 mg/kg BW,分别占暂定组每日允许摄入量(ADI,3 mg/kg BW)的1.03%和2.83%。西式糕点、大米制品、熟肉制品是江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐暴露的主要来源,贡献率达到总膳食暴露量的75%以上。如果严格执行GB 2760—2014《食品安全国家标准食品添加剂使用标准》中关于山梨酸及其钾盐限量规定,江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐每日平均暴露量和每日高暴露量分别下降25.7%～49.5%和14.5%～27.9%,西式糕点、果蔬汁类饮料、新型豆制品则成为膳食中山梨酸及其钾盐暴露的主要来源。结论目前江西省居民膳食中山梨酸及其钾盐暴露量对人群健康造成的风险较低,处于可接受水平,但仍有部分暴露来源于食品添加剂滥用,需要关注。     

一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。