退火工艺对射频磁控溅射Bi:YIG薄膜磁性能的影响

对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi:YIG系薄膜,用快速循环退火方法对其进行晶化处理,研究了退火温度对Bi:YIG薄膜结晶状态和形貌的影响,以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响.结果表明,用快速循环退火可以在si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜(饱和磁化强度139 kA/m,矫顽力6.37 kA/m)并使薄膜形貌有较大改善,在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍.     

Bi:YIG纳米薄膜的磁光特性

用射频磁控溅射和快速退火方法制备了纳米量级的Bi:YIG薄膜,研究了薄膜的磁光特性.当晶粒尺寸从150 nm降到80 nm时,透射率和Faraday角的值分别从75%和3.6°变成了80%和4.0°.结果表明:高的透射率和大Faraday角可以在晶粒尺寸为纳米量级的薄膜中共存.     

静磁波器件研究进展

静磁波(MSW)器件具有无源、可方便实现电调、可靠性高及外围电路简单等优点。本文主要对各种MSW器件：延迟线、滤波器．信噪比增强器、振荡器和磁光MSW器件的基本原理和研究现状做系统的介绍．     

静磁表面波各向异性对带通滤波器带宽的影响

从静磁表面波MSSW各向异性理论模拟出发,提出了通过调节磁场方向来实现对MSSW滤波器带宽调制的方法,并由实验得到验证:即在微带换能器宽度一定时,可以增加(或减小)磁场与波矢k之间的角度来减小(或增大)滤波器带宽,从而简化和精确静磁表面波滤波器的设计．     

静磁表面波器件插入损耗分析

对静磁表面波(MSSW)器件插入损耗理论进行了总结,并对影响静磁表面波器件插入损耗的各因素进行了分析和模拟,还根据自己的实际经验提出了几种减小静磁表面波器件插损的方法.     

重掺杂Bi:YIG溅射薄膜的磁和磁光性能

用磁控溅射 快速退火晶化处理在YAG、Al2O3基片上制备了重掺杂Bi:YIG磁光薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、磁光克尔仪/光学分度计、振动样品磁强计(VSM)分别研究了薄膜的微结构、磁光性能和磁性能.薄膜的饱和磁化强度为135～139 kA/m,不同基片上制备的薄膜的矫顽力不同,薄膜的法拉第角在450～610nm的光波段范围内约为3～5°/μm;当退火温度在600℃时,在两种基片上制备的薄膜透射率谱非常相似,当退火温度为800℃时,在Al2O3基片上的薄膜透射率谱将出现一个台阶.     

高性能静磁表面波带通滤波器设计

静磁表面波由于其易激发性和色散的可控性得到了较多的应用，可利用其制作高性能的静磁表面波带通滤波器。文中详细阐述了高性能静磁表面波带通滤波器各部分的设计方法，并利用仿真和实验结果证明了设计思路及方法的正确性．     

实用化静磁表面波带通滤波器研究

根据静磁表面波的基本理论建立了静磁表面波带通滤波器的设计模型 ,以实用化的静磁表面波带通滤波器为目标 ,重点考虑了静磁表面波带通滤波器的中心频率与带宽控制问题 .依据模型对滤波器进行了设计、制作和测试 .实际制作的滤波器性能指标为 :中心频率调谐范围为 4 .2～ 5 .2GHz、3dB带宽 180MHz± 6MHz、插损 11dB左右、带外抑制大于 30dB ,与理论设计结果基本一致 ,从而得到了实用化静磁表面波静磁波带通滤波器的原形 .进一步提高器件的中心调谐频率 ,在毫米波段将有广阔的发展前景 .     

高磁导率软磁材料的研究现状与关键工艺

介绍了国内外高磁导率软磁材料的生产和研究现状，分析了高磁导率材料，尤其是软磁铁氧体的关键工艺，并对制约高磁导率材料发展的一些因素进行了讨论。     

宽带脉冲变压器的参数、特性及应用

介绍了宽带脉冲变压器设计基本参数要求，及应用于各种通信、网络技术的基本特性。