高频炉燃烧红外吸收法测定中包覆盖剂中的碳含量

研究了采用高频红外吸收法测定中包覆盖剂中的碳含量,针对助熔剂、称样量、空白、曲线校正等因素对分析结果的影响进行了分析。本方法的碳含量检测范围0.01%~24.00%,精密度小于0.1%,具有分析准确度好、精密度高、分析速度快等优点。     

硅／硅直接键合（SDB）平面型高反压大功率晶体管研究

本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。     

直接键合硅片的亲水处理

硅片直接键合技术的关键是硅片表面的亲水处理。本文研究了亲水处理的微观过程，处理溶液的选择条件及处理的方法。指出只要具有氧化剂的硅片清洗液都可以做亲水处理液。     

硅／硅键合界面的正电子湮没分析

硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。     

硅片键合界面的吸杂效应

本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键盒介面的吸杂试验，分析了其吸杂效应的机理，给出了吸杂方程。理论计算和实验结果得到了较好的吻合。     

辅助设计和工艺限制

固体工艺的迅速发展,出现更多的根本的限制,这将使发展变慢,甚至停止不前。一种限制是肯定无疑的,当我们降低了尺寸,从而降低存储在电路中的能量时,那就增加了电路对随机干扰的灵敏度。 最近测到了单片存储器对来自管壳及芯片自身的2射线的灵敏度。在将来宇宙射线影响可能是更大的限制。(本次会议的第一篇论文将指出) 器件尺寸也不能任意减小,例如减小至十分之一微米数量级的耗尽层宽度。这个尺寸范围内的情况将在有关N沟E/DMOSFET倒相器报告中讨论。这报告中推导出它的功率延迟乘积,性能和电源电压的基本限制。为此我们假设栅绝缘层厚度为50(?),这样正好能避免隧道效应。     

模拟、数字共存用Bi—CMoS技术

IC问世初期,模拟IC和数字IC电路是互相独立的。后来,随着两者集成度的提高,在一块电路中继续扩大它的功能。最近要求即使是数字电路,在其输入、输出部分也有模拟功能。另一方面,模拟电路也一样,为了实现系统的多功能,把内部信号处理数字化是有利的,在这基础上,模拟功能和数字功能做在一个基片上,出现了“模拟数字共存形IC”,并且产品化了,这种电路稳定的成长起来。     

半导体放电管维持电流的研究

对提高半导体放电管的维持电流进行了研究。实验结果表明：应用一般晶闸管维持电流公式进行调整，不易得到大的维持电流，必须在放电管结构上进行改进，并进而给出了共维持电流ＩＨ的新表达式。     

半导体放电管

介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件——半导体放电管，简述了它的特点、工作原理、结构及应用。     

短沟道SOI／SDB CMOS器件性能研究

利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢ ＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。