单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

基于单电子晶体管的数字滤波器硬件实现

基于互补型单电子晶体管（SET）逻辑门，提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上，由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性。     

单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学模型及逻辑应用

基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学算法改进模型.该模型的优点是考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析.研究了背景电荷和各物理参数对Ⅰ-Ⅴ特性及跨导的影响,讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用简化了"异或"逻辑电路,改进了二叉判别图电路的逻辑单元.     

一种模拟小波变换的硬件实现方法

基于跨导线性原理，提出了一种应用Marr小波进行模拟变换的硬件实现方法。所设计的电路可实现小波窗函数的产生、逼近和二次微分。SPICE仿真结果表明，电路可产生良好的Gauss窗函数和Marr小波；通过控制电流和电容值即可实现小波尺度和位置的变化。该电路可工作于1V电压、1μA的偏置电流下。     

一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计

基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SKT构成的全加器电路结构。该全加器优点为：简化了“P—SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0．02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0．24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。     

单电子晶体管积分器及其性能分析

研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SET I-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的简化分析方法同样适用于 SET在其它模拟和逻辑电路中的应用。     

单电子晶体管及仿真实现方法

基于传统单电子理论，阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用。给出了三种仿真方法的具体实现过程：解主方程方法、蒙特卡洛方法和Spice宏模型方法，并分析了各自的优缺点。     

单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是：考虑了背景电荷的影响，可由实际物理参数直接获得，支持双栅极工作，便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响，讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用：简化了“异或”逻辑电路，改进了二叉判别图电路的逻辑单元。