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本文研究了ＲＴＵ微机终端在程序设计时所遇到的问题，并提出一种通用的考虑多任务下实时监控程序设计，着重讨论了程序设计中任务的启动，转换及排序，硬件互斥问题以及抗干扰措施等方法。 相似文献
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Ti-2Al-2.5Zr合金N+离子注入表面XPS和XRD分析 总被引：1，自引：0，他引：1
Ti-2Al-2.5Zr合金中注入能量为75keV的N+离子, 注入剂量为3×1017/cm2和8×1017/cm2, 注入过程样品的温度低于200℃. N+离子在Ti-2Al-2.5Zr合金中的射程借助TRIM 96程序计算为1222. 注入后的样品用X射线衍射方法(XRD)以及光电子能谱方法(XPS)进行分析. XRD衍射谱表明有新相生成, 经分析为TiN和TiO2, 但这些新相的峰非常微弱, 很难区分. XPS宽程扫描谱表明注入后样品表面主要为Ti, C, N和O. XPS关于Ti2p和N1s窄程扫描谱表明N+离子注入后在合金表面确实形成了TiN和TiO2. 相似文献
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电力系统无功优化和电压调控方案的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
本文对电力系统无功功率的合理配置进行优化，然后着重对电力系统发生故障后系统电压的变化机理及电压的稳定性和电压调节控制对策作了较深入详细的理论分析，确定了事故后无功功率的最小补偿容量及电压水平，并用曲线明确表示。 相似文献
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对TiNi形状记忆合金N+离子注入后进行了XRD分析以及XPS分析.N+离子注入的能量为75keV,束流为16.3μA/cm2,注量分别为3×1017N+cm-2和8×1017N+cm-2,注入过程中温度低于200℃.XRD和XPS分析结果都表明N+离子注入试样后以TiN的形式存在;且由于离子注入时的真空度较低,在注入层的表面也形成了少量的TiO2;由于Ni的溅射系数比Ti的大,在试样XPS宽程扫描图中,没有出现Ni的信号. 相似文献
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递归数字滤波器的设计和实现 总被引：2，自引：0，他引：2
本文阐明了递归数字滤波器的通用设计和实现的方法。据此，可编写出Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ型和Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ型两种逼近类型的低通、高通、带通和带阻等四种选频滤波器的通用设计程序，并可在微机上予以实现。 相似文献
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1.7MeV电子辐照对TiNi形状记忆合金相变温度的影响 总被引：2，自引：0，他引：2
用能量为１．７ＭｅＶ不同注量的电子辐照了ＴｉＮｉ形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金马氏体相进行,发现辐照使合金的马氏体逆相变开始温度Ａｓ和结束温度Ａｆ降低,且Ａｆ对电子辐照更敏感,相变温度滞后宽度减小;马氏体相变开始温度Ｍｓ和结束温度Ｍｆ基于无变化。ＸＲＤ结果表明电子辐照造成了马氏体相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势,并且较大注量的晶面间距都增大。说明辐照引入的点缺陷增加了马氏体弹性应变 相似文献
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形状记忆合金作为双驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动。本文通过不同热处理制度对TiNi形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢复率的影响研究，以期获得性能良好的双向记忆合金弹簧单独作为双向驱动元件的最佳处理条件。结果表明在450℃热处理并经过20次训练得到的TiNi形状记忆合金弹簧是最优的。 相似文献
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利用原位 AES深度分析 ,XRD,和 XPS方法研究了 Ti- 2 Al- 2 .5 Zr合金在 30 0℃碱性水中氧化 130 0 0 h所形成的氧化膜的结构、成分和价态 ,及其随深度的变化。结果表明 ,氧化膜是由板钛型 Ti O2 、Al2 Ti O5(Ti O2 ·Al2 O3) ,Ti3O5,Ti2 O3和 Ti O所组成 ,氧化膜由表面到基体基本是按以上顺序交迭构成。通过 XPS和原位 AES分析发现钛合金表面形成由 Ti O2 ,Al2 Ti O5(Ti O2 ·Al2 O3) ,Ti3O5组成的较为稳定的厚约 80 0 nm的 Ti4 + (Ti O2 )层 ,随深度的增加出现了 Ti3+ (Ti3O5,Ti2 O3)和 Ti2 + (Ti O) ,直至基体 ,氧化膜总厚度约 30 0 0 nm。 相似文献
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