氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半     

硅器件玻璃钝化

本文介绍了几种玻璃钝化的材料和附着玻璃膜的方法。特别论述硅器件玻璃钝化的原理和工艺流程。在文章中还给出国内外玻璃钝化的发展状况。     

智能称量系统与死区PID控制在烧结配料中的应用

烧结生产实践证明,烧结配料发生偏差是影响烧结过程正常进行和烧结矿产质量的重要因素。因此,精确配料是十分重要的。针对实际需要,将智能称量系统与带死区PID控制算法应用于对烧结配料系统的控制中,并详细介绍烧结配料系统运用智能称量系统与带死区PID控制算法来实现精确配料的控制过程。实践证明,该技术的应用取得了很好的控制效果,适合现场实际应用。     

14.00R24NHS港口专用全钢工程机械子午线轮胎的设计

介绍14.00R24NHS港口专用全钢工程机械子午线轮胎的设计。结构设计：外直径　1 410 mm,断面宽　368 mm,行驶面宽度　320 mm,行驶面弧度高　20 mm,胎圈着合宽度　274 mm,胎圈着合直径　610 mm,断面水平轴位置（H₁/H₂） 0.739 1,胎面采用块状花纹,花纹深度　64 mm,花纹饱和度　72.2%,花纹周节数　28。施工设计：胎面采用3层结构,胎体采用3＋9＋15×0.225ST钢丝帘线,带束层采用4层结构,其中1^#带束层采用3＋9＋15×0.175＋0.15HT钢丝帘线,2^#和3^#带束层采用3＋9＋15×0.220＋0.15HT钢丝帘线,4^#带束层采用3×7×0.20HE钢丝帘线,采用一次法两鼓/三鼓成型机成型,采用蒸锅式硫化机硫化。成品性能试验结果表明,成品轮胎的充气外缘尺寸和物理性能均达到国家标准及相应设计要求。     

基于CFD的球面动静压气体轴承稳态性能及动态特性分析

基于CFD建立球面螺旋槽动静压气体轴承气膜的有限元模型,数值计算气膜网格点上的压力分布,模拟气膜瞬态流场中复杂的气体流动,得到气膜的压力分布、承载力以及动态特性系数。结果表明:增加供气压力可以有效地增强静压效应,减小气膜厚度和增加转速有助于增强动压效应,动静压效应耦合可以提高轴承承载性能,偏心率为0.4～0.5,平均气膜厚度为8～12μm,供气压力为0.5～0.6 MPa时,产生的动静压耦合效应明显,从而可增加气膜的承载性能和轴承高速运行的稳定性;轴承刚度系数随着气膜厚度的增大呈先增加后减小的趋势,随着偏心率的增加而增加;轴承阻尼系数随着气膜厚度和偏心率的增加变化较为复杂,但整体上呈增大的趋势,因此,合理地选取气膜厚度和偏心率能够提高轴承承载性能,改善其动态特性,提高球面动静压气体轴承运行稳定性。     

起重机用385/95R25无内胎全钢子午线 轮胎的轻量化设计

介绍起重机用385/95R25无内胎全钢子午线轮胎的轻量化设计。轻量化设计如下：1^#—3^#带束层由使用3＋9＋15×0.225钢丝帘线调整为使用3＋9＋15×0.22＋0.15钢丝帘线,2^#—4^#带束层宽度减小,钢丝圈钢丝排列形式由9-13-9调整后为7-12-8,减小防水线位置处的耐磨胶厚度和三角胶整体厚度。与正常轮胎相比,轻量化轮胎在负荷状态下各部位的应变能密度均有所降低,在行驶过程中整体生热降低,总质量减小10.67 kg,强度性能满足客户要求,耐久性能提高15.7%,高速性能提高106.4%,有利于延长轮胎的使用寿命。     

一种基于纳米SnO2材料的CO气敏器件的研制

介绍了纳米ＳｎＯ２－ＰｄＯ混合材料及其ＣＯ气敏器件的制备过程,并对该敏感器件的敏感特性进行了测试和分析,结果表明,由纳米材料制备的敏感器件对ＣＯ的敏感特性大大提高。     

离子敏场效应晶体管的理论模型

本文的目的是分析溶液同ISFET界面的情况以及界面状态同晶体管输出的关系。从电化学的观点,认为敏感层同溶液的界面可分为两种:极性和非极性界面。如果电荷可以通过这种界面,它即是非极性的,其电学行为相当于一个电阴。界面势的大小决定于电子或离子间的交换,服从能斯特方程。如果电荷不能通过这种界面,它即是极性的,其电学行为等效一个电容。界面势的大小决定于对带电粒子的表面吸附或偶极分子的定向排布,服从于吉布斯—李普曼方程。文章还讨论了绝缘层的电学完整性。     

离子敏场效应晶体管与酶场效应晶体管

<正> 目前,国内研制的离子敏场效应晶体管都是分立的、单一功能的。例如,一只微型电极(由一个场效应管的芯片构成)只能测一种离子,如果同一芯片上制作2～4个离子敏场效应晶体管,再涂上不同的离子敏感膜,则可同时测2～4种离子,在医院临床检查上,需要同时检测血液中H~+,K~+,Cl~-,Ca~(++)等四种离     

硅器件等离子体技术综述

本文简要回顾等离子体技术应用于半导体工艺的发展史。从放电化学的角度阐明等离子体对多晶硅、Si_3N_4和光致抗蚀剂的腐蚀原理及等离子体CVD法生长Si_3N_4的原理。指出等离子体技术将是半导体加工必不可少的工艺之一。