多频飞行时间相机实时深度补偿算法研究

针对多频飞行时间相机在曝光时间内物体运动以及相位融合中产生的偏差,提出一种基于光流以及空间核密度估计的实时补偿算法。首先获取原始的多频相位图像,计算出不同频率之间的相对光流,获得每种频率下的补偿相位;在此基础上针对不同频率的相位做出可信度假设并利用空间核密度估计对其进行排名,获得最终的相位融合图并生成对应的深度图。实验部分,使用Kinect V2相机获取的原始多频相位图对算法进行验证,同时利用GPU进行并行加速;结果表明该算法可以实时对物体平行于光轴运动的相位融合偏差进行补偿,有效地提高了深度图像的精度和稳定性。     

SiC超结MOSFET的短路特性研究

SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC超结MOSFET可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理,为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD Sentaurus模拟软件,对1 200 V电压等级的传统SiC MOSFET结构和SiC超结 MOSFET结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数,然后重点分析了短路特性差异,在相同短路条件下对器件内部的物理机理进行了分析。结果表明SiC超结 MOSFET可以有效地提高器件的击穿电压和导通电阻,同时表现出更好的短路可靠性。进一步分析了不同的偏置电压下SiC超结 MOSFET的短路特性,结果表明,随着外部施加偏置电压增加,器件的短路耐受时间减小,同时短路饱和电流也会相应增大。     

汽车内饰材料雾化测试中重量法和反射法结果相关性研究

为验证雾化测试的两种方法是否存在相关性,根据ISO6452-2007标准测试一批汽车内饰材料,将重量法和反射法的测试结果按材质分类统计,使用Spearman’s Rank Correlation Coefficient(斯皮尔曼等级相关系数)检验对测试结果分析后得出结论:发泡、毛毡、塑料、真皮材质的重量法和反射法结果存在较强的负相关关系;橡胶和皮革材质的两种测试方法相关性不显著。     

槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究

利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制。