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1.
2.
The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigated and compared by using the curve tracer. The results show that the snap back behavior of the breakdown waveform is related to the bipolar PNP gain, which leads to the deterioration of the breakdown voltage. There are two ways to optimize the backside structure, one is increasing the implant dose of the N C buffer layer, the other is decreasing the implant dose of the P C collector layer. It is found that the optimized structure is effective in suppressing the snap back behavior and improving the breakdown characteristic of high voltage IGBT. 相似文献
3.
人们日常喝的水,结构是缔合大分子簇团,参与体内生物化学反应差,脂质代谢差。人体动脉内的脂质沉积,随着年龄增长逐渐增多,血流阻力增大、流量减少。中老年人可能患动脉粥样硬化症、高脂血症和高血压症。有的同时血粘度高、血糖高、血尿酸高,不断受病痛折磨,使寿命大为缩短。据统计,心脑血管病居当前我国人口死因的高位,占死因总数的46%。 相似文献
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中国物流与采购联合会会长陆江近日称 中国加入WTO后一些跨国公司会把物料采购物流配送外包给合作伙伴 特别是充分利用本土资源 这将对中国物流与分销服务业提供一个崭新的市场.加入WTO后 根据协议 中国将分阶段 《工具技术》2001,35(12):46
中国物流与采购联合会会长陆江近日称,中国加入WTO后一些跨国公司会把物料采购、物流配送外包给合作伙伴,特别是充分利用本土资源,这将对中国物流与分销服务业提供一个崭新的市场.加入WTO后,根据协议,中国将分阶段(三至五年内)放开外资进入中国批发、零售和物流业的各种限制.这意味着在不久的将来,外资企业将可自行设立分销网络,允许经营物流服务业务.可以预见,作为竞争性行业,中国物流与分销服务业将是入世后完全开放最早的行业之一.这对中国物流发展既是挑战,更是机遇.加入WTO有利于中国物流和分销服务业加快引进国外资金、技术和管理经验,有利于促进中国物流产业结构的调整,更有利于中国物流业走向世界. 相似文献
5.
埋藏期的油气充注可引起储集层中一系列有机-无机物理和化学变化,从而改造储集层的储集空间大小和润湿性,进而影响物性和油气运移动力。油气充注对储集层的影响主要表现在4个方面:①有机质生烃增压和早期油气充注占位可使岩层增加一定的抗压实能力,让深埋条件下的储集层仍能保存较多的储集空间和渗透性; ②油气充注可在一定程度上抑制自生矿物的生长,如自生石英、自生伊利石等,从而降低胶结作用的减孔效应; ③有机酸伴随油气充注可对储集层中的长石碎屑、方解石胶结物等易溶矿物进行溶蚀改造,从而有效改善岩石的物性和孔隙结构; ④早期油气充注可在矿物表面形成油膜,致使储集层呈现中性—弱亲油性,利于油气运移中克服分子的表面张力。综上所述,建立油气充注与储集层成岩演化时序,恢复成藏期自生矿物在空间上的组合关系,可有效预测油气优势运移路径。 相似文献
6.
今天我们开这个会,中心内容是围绕四中全会精神和江泽民同志代表党的第三代领导集体所做的庆祝国庆40周年讲话精神,对我们前一段的工作加以总结,认清形势,统一思想,振奋精神,团结一致,把我们今后的工作做得更好。我谈的第一点意见,江泽民同志在讲话中指出:为 相似文献
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8.
随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展,硅霍尔传感器性能得到大幅度提高,特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术,使产品的稳定性、工作温度范围、磁场灵敏度等方面得到显著改进。本文介绍了BiCMOS霍尔传感器产品采用的最新设计制造技术及其基本原理。 相似文献
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Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2. 相似文献
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