ATO粉体的制备工艺及其导电性能的研究

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制备纳米ATO粉体,考察了pH值、氨水体积比、锑的掺杂量、煅烧温度及煅烧时间对粉体导电性能的影响.运用DDS-12A型数显电导率仪测试了ATO粉体的电导率,运用了X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等测试方法对粉体的晶型、粒径及形貌进行了表征.研究结果表明,氨水体积比为1：3,pH值为8,煅烧温度600℃,煅烧时间4h时所制备的纳米ATO粉体电导率值最大,即导电性能最佳.     

铟的应用现状及发展前景

介绍了铟的储量、生产情况和价格,分析了铟的应用现状,预测了铟的应用发展前景.     

选区激光熔化成形316L不锈钢组织控制研究

采用选区激光熔化技术, 制备了316L不锈钢3D打印样品, 研究了3D打印体能量密度、微熔池结构和拉伸性能之间的相关性。结果表明, 在实验范围内(打印体能量密度从92.59 J/mm3增大到162.04 J/mm³), 3D打印样品抗拉强度先增大后下降, 体能量密度145.83 J/mm³时, 抗拉强度达到峰值498.48 MPa。熔池的形貌和尺寸与体能量密度相关, 熔池近似面积随体能量密度提高先增大后降低。3D打印样品室温拉伸性能与微熔池的形貌结构有明显相关性, 在拉伸过程中会沿熔池边界发生破坏, 熔池近似面积越大, 熔池边界占比小, 样品抗拉强度相对较高。研究结果可为调控3D打印样品微观组织、改善材料性能提供参考。     

正火温度对球墨铸铁的组织与力学性能的影响

为了解决实际生产中球墨铸铁组织中存在游离渗碳体的问题,以中频感应炉熔炼的圆柱形球墨铸铁试棒为研究对象,用不同温度进行正火处理.研究了球墨铸铁经过正火处理后的组织与力学性能,结果表明,球墨铸铁正火处理时,正火温度是影响球墨铸铁基体中渗碳体分解而使得抗拉强度和延伸率提高的重要因素之一,且在930℃正火温度下,球墨铸铁中渗碳体产生分解.与铸态球墨铸铁相比,在正火温度870℃条件下,其抗拉强度增加至759 MPa,而延伸率下降到5.4％;当正火温度提高到930℃时,其抗拉强度没有明显变化,为744 MPa,而延伸率上升至9.5％.经过正火处理后的球墨铸铁基体中珠光体占比增加,且当温度由870℃提高至930℃时,球墨铸铁中珠光体含量进一步增多,这对球墨铸铁的实际生产具有一定的意义.     

3种分散剂对ITO浆料稳定性能的影响

选用3种分散剂(聚乙烯吡咯烷酮、柠檬酸三铵、β-丙氨酸),通过球磨分散法制备ITO浆料,通过考察球磨分散时间和分散剂量对ITO浆料稳定性能的影响,分析比较不同分散剂对浆料稳定性作用,并探究其分散机理。结果表明:3种分散剂分散机制均为静电和空间位阻稳定作用;在相对ITO粉体质量比为5%、最佳球磨分散时间为48 h时,在15 d内ITO浆料的RSH可维持在10%以内;3种分散剂对ITO浆料稳定性的影响由强至弱的顺序为:聚乙烯吡咯烷酮>β-丙氨酸>柠檬酸三铵,与其在溶液中酸碱性强弱顺序一致,其中聚乙烯吡咯烷酮的分散效果最好。     

纳米In2O3／TiO2介孔复合体的制备及其光致发光性能研究

本论文利用尿素水解均匀沉淀法制备锐钛矿型纳米TiO2介孔粉体，然后在硫酸铟溶液中浸泡一周，并在650℃下退火处理5h，制得纳米In2O3／TiO2介孔复合体。采用X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）谱表征In2O3／TiO2介孔复合体的组成结构和发光性能，并对相同温度退火处理下的介孔TiO2粉体进行比较，结果表明：经过650℃退火后，在激发波长380nm，发射波长570nm附近，纳米In2O3／TiO2介孔复合体产生荧光增强效应。     

废铜料用于铜电解液中和水解法净化新工艺

本试验研究旨在寻求铜电解液净化脱除砷、锑、铋,同时兼顾废铜料综合利用新工艺。结果表明,中和水解法效果显著。     

基于创新实践能力培养的高校学科竞赛的激励机制研究

如何将创新实践能力培养融入到高校教育中,是当今高校人才培养中的重要问题.学科竞赛是大学生创新实践能力培养的重要途径之一,激励机制是学科竞赛工作得以高效开展的基本保障.通过分析高校学科竞赛中高校、二级学院、指导教师、参赛学生4大参与者之间的激励与反馈关系,明确了激励框架,建立了具体可行的激励措施.通过激励措施实施前后的效果对比,验证了应用激励机制的必要性和有效性.     

液相沉淀法制备的棒状α-MnO2研究

采用硫酸锰和高锰酸钾为原料,用液相沉淀法制备α-MnO2,经XRD、SEM、差热热重、循环伏安和恒流充放电测表征分析.结果表明,硫酸锰和高锰酸钾在80℃的条件下,反应4h,得到分散均匀、棒径约10 ～20 nm的α-MnO2粉体,在1 mol/L的Na2SO4电解液中扫描速度为75 mV/s,表现出较好的循环特性,300 mA/g恒流充放电,比电容为112.6 F/g,阻抗为0.75 Ω.