背散射谱学及其应用

在离子束与物质的相互作用的基础上建立起来的背散射谱学,近十多年来在理论和应用两方面都得到了很大的发展。背散射技术是现代材料科学中的无损伤探测的重要手段。本文对背散射谱学的基本概念和理论、实验方法和分辨率作了综合性的阐述,同时对此项技术在膜的厚度的测定、杂质     

应用散斑照相法测量三维非对称温度场

提出一种光线偏折角放大方法用于提高散斑照相测量灵敏度。应用散斑照相法测定了三维非对称温度场，通过卷积背投影公式得到了ｚ为常数的某个层面的温度分布。实验表明此方法适用于几何尺度较小或温度梯度较小的三维位相物体温度场的散斑照相测量。     

MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究

本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。     

超晶格

人工超晶格的概念是1970年美国IBM的科学家Leo Esaki和Ray Tsu根据量子理论首先提出的。超晶格是一代新型的微电子学材料,具有广泛的应用前景。本文阐述了两种基本的半导体超晶格(组份超晶格和掺杂超晶格)的制备、能带结构以及可调制的特性,并对近年来作者应用离子束分析技术于     

经典力学的和量子力学的不确定性的比较

<正> 本文对箱粒子、谐振子和单电子原子的经典力学的和量子力学的不确定性进行比较。得出在量子数很大或h→0的极限情况下,量子的结果化为经典的结果。导出经典的测不准原理,并与量子理论类比,指出在另点运动和测不准原理之间的一个可能的关系。     

MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别

本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴别 ZnSe-ZnS超晶格质量的方法,比看激子峰半高宽可以更灵敏地了解超晶格的质量.