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1.
为了揭示Al-C-N非晶薄膜的结构、导电性以及它们之间的关系,本文采用非平衡磁控溅射沉积技术在Si(100)基体上沉积得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。使用X射线光电子能谱仪、X射线衍射和高分辨透射电镜研究了所制备薄膜的相组成和微观结构。采用四引线法测定了薄膜电阻率-温度关系和霍尔电阻率-磁场关系。实验结果表明,所制备薄膜为非晶结构,结构致密,没有明显的缺陷,薄膜中主要的化学键为C-N,C-C和Al-N键。薄膜的成分对其导电性能有着明显的影响,当Al含量较低时,Al-C-N薄膜为p型半导体;当Al含量较高时薄膜转变为绝缘体。 相似文献
2.
<正> 沿晶断裂是氢致开裂的一个重要方式.有人在氢致沿晶断口上观察到大量塑性变形,因而认为氢促进沿晶断裂是氢促进局部塑性变形的结果.但也有人认为是由于氢降低了晶界原子问的结合力造成的。用高压电镜进行动态观察的结果表明,Fe 和 Ni 中氢致沿晶界断裂实际上是由于晶界附近高度塑性变形引起的沿晶界附近的滑移面开裂.我们的工作表明,氢能够促进位错的增殖和运动.对于 Fe-3%Si 单晶体,氢能够促进由于位错运动和反应引起的沿{001}面解理。 相似文献
3.
Ti-24Al-11Nb腐蚀疲劳断口形貌的研究张跃,褚武扬,王燕斌,肖纪美(北京科技大学北京100083)1引言对Ti-24AI-11Nb合金的断裂特征和断口形貌已进行了较多的研究[“].在300oC的氢气中该合金能发生氢致开裂,其断口形貌与过载断口... 相似文献
4.
采用 EAM多体势的分子动力学模拟表明,Ni中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子KIe(θ=45°)从 1.00 MPa·m1/2降为 0.90MPam·1/2;使 KIe(θ=70°)从 0.82 MPa>·m1/2降为 0.70 MPa·m1/2,即氢能促进位错的发射 另外 氢能使(111)滑移面上的 Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG(θ=0°)从 1.03 MP·am1/2降为0.93 MPa·m1/2、即氢使(11)面的表面能下降 γ111(H)=0.82θθγ111;从而促进位错的发射 透射电#(TEM)原位观察表明,在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动。 相似文献
5.
Ti-24Al-11Nb金属间化合物的氢致滞后开裂张跃,王忆,王燕斌,褚武扬,肖纪美(北京科技大学北京100083)1引言复相金属间化合物Ti-24ALllNb合金是一种重要的新型高温结构材料,已被美国宇航局用作为新一代宇航飞机的发动机材料及结构件.... 相似文献
6.
7.
8.
采用基片加热和后期热处理的手段使ITO薄膜结晶和调整其组织结构来降低电阻的方法,已经被广泛应用于在玻璃等基体上制备ITO薄膜.但是随着不耐高温的柔性基体的广泛使用,ITO薄膜低温生长已经成为一个重要的研究课题.为此,本研究探讨室温等离子体辅助条件下,ITO薄膜沉积生长过程,以期为上述问题的解决提供理论依据.研究结果表明等离子辅助可以有效控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒尺寸以及晶界结构,在优化条件下,在PET基体上制备出电阻率为1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜. 相似文献
9.
氧化铬薄膜具有高的硬度,很好的耐磨、耐蚀性能,因而具有广泛的应用.但是到目前为止还没有看到对其微观结构研究的报道.本文通过扫描电镜、高分辨电镜及原子力显微镜研究了氧化铬薄膜及界面的微观结构.研究发现,在铬过渡层和基体的界面及氧化铬薄膜与铬过渡层间观察到约100 nm厚的非晶态铬和氧化铬,在铬过渡层和基体的界面中存在有Fe-Cr中间相.非晶层的出现为制备涂层表面光滑、晶粒细小、内应力降低、且具有较高厚度的薄膜提供了一个全新的思路. 相似文献
10.
采用高分辨透射电镜技术对两种硬质薄膜(AlTiN多层薄膜和AlCN非晶薄膜)样品的显微结构进行了研究。结果表明:在高速钢基体上制备的AlTiN多层薄膜由两种氮含量交替变化的膜层构成,尽管交替的两层中氮含量不同,但每一单层都为纳米晶包含在非晶点阵中的纳米复合结构,不同之处是低氮含量层中纳米晶密度较小;生长在单晶硅基体(100)晶面上的非晶AlCN薄膜,在膜基界面处硅基体上出现应力畸变层,应力畸变层厚度很薄,约3~5个原子层。比较Si的应变层和非应变区的傅里叶变换结果,片状的应变层产生形状效应,使得傅里叶变换图中斑点沿垂直于片状应变层方向拉长成线状。 相似文献