太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中，薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程深入研究沉积过程中的热交换、物质输运，有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜．通过分析近空间沉积的物理机制，测量近空间沉积装置内温度分布，对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明，不同气压下制备的样品，均有立方相CdTe，此外，还有CdS和SnO2：F衍射峰，CdTe晶粒随气压增加有减小趋势；随气压的增加．透过率呈下降趋势，相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2：F／CdS／CdTe／Au的串联集成电池。     

TPB3 TSi黄光OLED材料的制备及其性能优化

制备以TPB3TSi为发光材料的黄色发光器件。实验表明,当TPB3TSi薄膜厚度为20nm时,器件的发光谱峰位于580nm,其双层和3层器件的最大亮度分别达到7507.6和1385cd/m2(17V电压下),但是器件的电流较大,造成了器件的发光效率偏低,其原因是TPB3TSi材料本身的电荷陷阱(所谓陷阱指的是拥有比母体更容易接受电子或者空穴的能级的位置)较多,荧光效率低,从而降低了器件的效率。     

玻璃衬底上CdTe薄膜的制备及其性质

利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备了CdTe薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜表征了CdTe薄膜的微结构.结果表明CdTe薄膜的微观结构依赖于衬底粗糙度,(111)晶面的择优取向随衬底表面粗糙度的增加而降低.     

Gas sensitivity of poly (3, 4-ethylene dioxythiophene) prepared by a modified LB film method

An arachidic acid/poly (3, 4-ethylene dioxythiophene) (AA/PEDOT) multilayer Langmuir-Blodgett (LB) film was prepared by a modified LB film method. The theories were utilized to explain the effects between HCl molecule and LB film. The gas sensitivity mechanism of poly (3, 4-ethylene dioxythiophene) (PEDOT) multilayer film can be explained by the charge transfer between p system of PEDOT and oxidization HCl system. The gas sensitivity of PEDOT LB film deposited interdigital electrode to HCl was tested. The results showed that film thickness, treating temperature, deposition speed had different influence on film gas sensitivity. The AA/PEDOT film deposited device exhibited nonlinear behavior to HCl gas at lower concentration (20-60 ppm) and linear response behavior at higher gas concentration was observed. The time of the compound LB film of the AA/PEDOT responding to the 30 ppm HCl gas is about 20 seconds, which is far quicker than the time of the film to the PEDOTPRESS film(about 80 seconds). It is not higher film press to better film. When the film press attains 45 mNs/m, the sensitivity of the AA/PEDOT film on the contrary descends.     

修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能

采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变。测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和ODA-SA/PEDOT-PSS复合膜,这是由于原位制备的PEDOT共轭度较高,且薄膜具有很好的层状有序结构。     

导电聚合物有序超薄膜材料特性的分析

首次采用LB膜诱导沉积法制备PEDOT高度有序导电聚合物薄膜,所采用的工艺是将十八胺(ODA)与聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT-PSS)先形成ODA包裹PEDOT-PSS纳米粒子的组装体,然后再将其铺展于气/液界面,制备PEDOT-PSS复合LB膜.研究了复合单分子膜在气/液界面的成膜性能,对不同层数的LB膜进行了较为详细的微观分析和结构表征.采用UV-Vis光谱对不同层数的复合膜进行了表征,发现ODA-SA/PEDOT-PSS膜具有比ODA/PEDOT-PSS膜好得多的成膜性,这是由于生成的氨基酸改善了复合膜的成膜性;FT-IR和XPS分析表明固态复合膜中存在静电作用力,复合膜靠静电力在气/液界面进行组装.实验表明,PEDOT-PSS纳米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;在十八胺(ODA)和硬脂酸(SA)摩尔比2:1、亚相温度23℃、PEDOT-PSS浓度1×10-3mol/L、压缩速率5 mm/min、拉膜速率为1 mm/min的条件下薄膜具有较好的成膜性能.     

多省并醌高介电聚合物的结构与特性的研究

采用未见文献报道的NaCl/AlCl3熔盐法合成多省并醌聚合物,并与常规硝基苯溶剂法进行对比,分析了聚合物的结构与热稳定性,测试了样品的介电常数与介电损耗。研究结果表明多省并醌聚合物热稳定性很好,5%质量损失温度〉380℃。20Hz下熔盐法合成的聚合物介电常数达10471;在硝基苯中所得聚合物的介电常数为9.55。多省并醌聚合物的介电常数随外加电场频率升高而降低。     

平面结构式OLED全彩像素屏显示器件的研究

采用平面结构式OLED实现彩色,制作了分辨力为128×160的1.9"全彩无源OLED屏,OLED全彩像素的尺寸为240 μm×240 μm,子像素尺寸为190 μm×45 μm.显示系统通过DVI接口可将微机输出的18位灰度数据传送到驱动电路,从而实现262 k种颜色.当屏的平均工作亮度为40 cd/m2时,由于采用...     

Br2-甲醇蚀刻对CdTe太阳电池性能的影响

在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分和形貌.结果表明:蚀刻后的CdTe薄膜获得一银灰色的光洁表面,并发现CdTe薄膜表面产生一富Te层,蚀刻厚度达到1μm获得性能最好的太阳电池.用Br2-甲醇蚀刻后的CdTe薄膜,采用ZnTe/ZdTe:Cu复合层作为背接触层的过度层,已获得了转换效率为13.38%的太阳电池.     

近空间升华沉积CdTe多晶薄膜过程的研究

研究了近空间升华（CSS）沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化了升温过程,在此基础上制备出了转换效率优良的结构为SnO2：F／CdS／CdTe／Au的串联集成太阳电池。同时结果表明：近空间升华制备TdTe多晶薄膜的物理过程主要是,Cd代升华前升温,Cd代源升华分解为Cd、Te2, Cd、Te2在衬底上化合沉积以及衬底上的CdTe反升华等过程。在正常的近空间升华过程中,CdTe的蒸汽压远小于保护气体的气压。后者对对成核的晶粒方向几乎没有影响,但它通过改变分子平均自由程来影响Cd、Te2分子的扩散,从而影响薄膜的生长速率。