地铁隧道暗挖施工地表沉降模拟分析

浅埋暗挖法施工往往会引起不同程度的地表沉降,如何正确预测沉降值对地铁施工安全具有重要意义。本文以北京地铁６号线某区间工程为例,通过现场实际量测数据和ＦＬＡＣ^３Ｄ的数值模拟对浅埋暗挖隧道施工引起的地表沉降进行详细分析。结果表明：ＦＬＡＣ^３Ｄ的数值模拟结果与地表沉降实测值相近,地表沉降会经历微小变形、急剧变形、缓慢变形至稳定３个阶段,其中,沉降主要发生在开挖面通过阶段,合理的数值模拟计算能够大致预测施工引起的沉降,并以数值模拟结果为类似工程提供指导和建议。     

基于5S管理模式的特气充装站现场管理应用

在当前高质量发展的背景下，我国加大了对半导体集成电路产业的支持力度，集成电路国产化替代的步伐加速进行。电子特气作为半导体制造的重要原材料，出货量大幅增长，这就对特气充装站的管理提出了更高要求。根据企业实际情况，按照5S管理模式对特气充装站进行管理，制定有效可行的5S管理推行方案，并应用到充装站的日常管理当中，能够有效改善生产现场环境、提升生产效率、保障产品品质、树立良好的企业形象，从而达到精益生产的目的。     

LiFePO4-LiMn2O4混合正极材料对电池性能的影响

通过微波反应合成具有亚微米尺寸的LiFePO4/C复合材料,并将LiFePO4/C和通过高温固相法合成的LiMn2O4按照一定的质量比均匀混合用作锂离子电池正极材料.电池充放电测试表明电池的循环性能随着LiFePO4量的增加逐渐变好,当LiFePO4与LiMn2O4的质量比在3∶2时电池具有较好的循环性能和较高的比功率.交流阻抗测试表明二者混合试用可以有效地降低电极过程的电荷传递电阻.最后分析了循环性能提高的原因.     

光氯化反应脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷

以三氯氢硅和氯气为原料,采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察了各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。结果表明,光氯化反应的最优条件为:n(Cl_2)∶n(CH_4Cl_2Si)=5∶1,反应温度50℃,紫外光波长为365 nm,光强为15 W,反应时间为20 s。在最优条件下,产品中甲基二氯硅烷含量小于5×10~(–8) g/g,去除率达到99.67%;反应产物中出现少量四氯化硅,是聚氯硅烷和三氯氢硅发生氯化反应生成的。以最优条件制备的三氯氢硅为原料,使用评价炉制备的多晶硅中碳原子浓度小于3×10~(15) atoms/cm~3,达到电子一级品指标。     

生产型企业实验室的管理瓶颈与对策

生产型企业为产品质量保证及进出口贸易的长远发展,其内部实验室纷纷申请并通过了实验室认可。而企业实验室作为生产辅助性部门,因其在母体公司的地位、与兄弟部门的利益纷争以及本身管理模式的特殊性而产生种种矛盾,给实验室管理体系的运行带来阻力。这些矛盾的合理化解,是实验室认可体系永续发展的关键。     

多晶硅生产中回收氢气再利用研究

针对多晶硅生产系统干法回收氢气排放所带来的物料浪费、"三废"末端处理成本高、污染物排放量大等问题,研究了一种新的方法将需要排放的干法回收氢气再利用。通过气体成分分析、产污分析,总结出回收氢气再利用在多晶硅生产中对环保、安全、成本的巨大作用,并分析了利用该方法带来的经济效益以及对环境带来的积极影响。     

电子级正硅酸乙酯制备技术研究进展

正硅酸乙酯兼顾无机材料和有机材料的性能，广泛应用于化工、电子电气等诸多领域。重点介绍了电子级正硅酸乙酯的应用领域，比较了工业级正硅酸乙酯与电子级正硅酸乙酯的产品组分、颗粒度以及杂质含量。针对工业级正硅酸乙酯与电子级正硅酸乙酯质量上的差距，综述了目前国内外电子级正硅酸乙酯制备工艺的研究进展，包括络合分离、吸附和离子交换、组合精制等技术，这些技术均以工业级正硅酸乙酯为原料，通过有效去除正硅酸乙酯中的水分、氯离子、金属离子和其他杂质等，获得电子级正硅酸乙酯产品。通过对比各种提纯方法，展望了电子级正硅酸乙酯提纯技术的发展方向。     

多晶硅中甲基氯硅烷转化研究

三氯氢硅中的甲基氯硅烷是造成多晶硅碳杂质超标的重要原因,为了深度去除氯硅烷中的甲基氯硅烷,本文通过对三氯氢硅氢还原法各工序中的甲基氯硅烷含量进行检测和分析,研究甲基氯硅烷杂质的转化规律,得出以下结论:在氢化系统中,甲基二氯硅烷和甲基三氯硅烷存在转化平衡关系,甲基二氯硅烷经氢化系统后出口平衡浓度在7μg/g附近;在还原系...