非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须

以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、氟化锂为矿化剂、乙醇为溶剂、氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须。借助综合热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究了硅酸锆干凝胶在氮气气氛中热处理的物相变化以及成型压力、氟化锆用量对形成硅酸锆晶须的影响,探讨了硅酸锆晶须的形成机理。结果表明:氮气气氛下热处理并不影响硅酸锆的低温合成,成型压力过大或过小、氟化锆用量过多或过少均不利于硅酸锆晶体的一维择优生长,成型压力为2 MPa、氟化锆用量为10%(质量分数)时,硅酸锆晶须直径为0.2~0.4μm、长径比达到15~30。     

复杂形状中空陶瓷部件的凝胶注模成型

通过仔细设计模具,并在研究了催化剂等对凝胶注模成型过程的影响以及脱模和干燥对成型坯体质量的影响的基础上,制备出了强度在24MPa以上、外观质量很好的复杂形状中空陶瓷部件。扫描电镜分析可知坯体的显微结构均匀,坯体比较致密,高聚物通过三维网络把陶瓷颗粒紧密地联结在了一起。     

大豆生理活性肽的研究(Ⅱ)--抗氧化性和ACE抑制活性的初步研究

采用AS1.398和Alcalase两种蛋白酶,制备了水解度为10%～24%的大豆多肽,对其抗氧化性、ACE抑制活性和相对分子质量的分布进行了研究,结果表明采用AS1.398酶水解的DH为12%的产品抗氧化活性最高,添加量为6 mg/mL时使亚油酸的氧化诱导期延长2.92倍,其相对分子质量分布在1 000以上的组分较多;采用Alcalase酶水解的DH为14%的大豆多肽产品,ACE抑制活性最高,IC50为0.144 mg/mL,其相对分子质量分布大多在200～600之间.     

裙带菜的护色研究

裙带菜在加工过程中容易褐变,从而影响其感官品质。本文对脱色原理进行初步研究,并针对裙带菜色泽进行不同护色方法的比较,结果表明,裙带菜较佳的漂烫条件为95℃,200mg/L的NaOH溶液漂烫2min,较佳的常温浸泡条件为Zn2+,浓度为200mg/L,时间为12h。经过处理后的裙带菜经过瞬间高温灭菌后色泽基本无变化且外观形态保持良好。     

粤式传统腌腊肉制品存在的问题及其解决办法

分析了粤式传统腌腊肉制品中存在的安全问题、质量问题及加工工艺问题,并结合国内外相关技术的研究进展,介绍了解决这些问题的技术和方法。     

昆虫功能食品的研究与开发

论述了昆虫功能食品的概念，介绍了昆虫食品的保健成份，并对昆虫保健食品的研究与开发进行了初步探讨。     

Preparation of flee-standing diamond films for high frequency SAW devices

Free-standing diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition （HFCVD） method under different conditions. Inter-digital transducers （IDTs） were formed on the nucleation sides of free-standing diamond films by photolithography technique. Then piezoelectric ZnO films were deposited by radio-frequency（RF） reactive magnetron sputtering to obtain the ZnO/diamond film structures. Surface morphologies of the nucleation sides and the IDTs were characterized by means of scanning electron microscopy （SEM）, atomic force microscope （AFM） and optical microscopy. The results indicate that the surfaces of nucleation sides are very smooth and the IDTs are of high quality without discontinuity and short circuit phenomenon. Raman spectra show the sharp diamond feature peak at about 1 334 cmI and the small amount of non-diamond carbon in the nucleation side. X-ray diffraction （XRD） patterns of the structure of ZnO/diamond films show a strong diffraction peak of ZnO （002）, which indicates that as-sputtered ZnO films are highly c-axis oriented.     

纳米金刚石薄膜的光学性能研究

用热丝化学气相(HFCVD)法在硅衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜,用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌和粗糙度,拉曼光谱表征膜层结构,紫外-可见光分光光度计测量其光透过率,并用椭圆偏振仪测试、建模、拟合获得了表征薄膜光学性质的n,k值.结果表明薄膜的晶粒尺寸在100nm以下,表面粗糙度仅为21nm;厚度为3.26(m薄膜在632.8nm波长处的透过率为25%,1100nm波长处达到50%.采用直接光跃迁机制估算得到纳米金刚石薄膜的光学能隙(Eg)为4.3 eV.     

CVD金刚石膜紫外光探测器

宽禁带半导体金刚石具有许多独特特性，基于此种材料的紫外光探测器能在高温、强腐蚀和强辐射等恶劣环境下工作，成为近年来紫外探测技术研究的重点课题之一。本文综述了CVD金刚石膜紫外光探测器的研究及应用进展。     

工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响

采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜．讨论了薄膜退火前后的介电性能．研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系．通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性．结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量．获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1．2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5．73,介电损耗为0．02．