部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.     

超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性

研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明这种N/O复合栅介质与优化溅射W/TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景.     

青铜峡河床24~#、25~#坝段断层塞应力稳定复核

60年代建成的青铜峡水电站根据国家大坝安全鉴定要求对其进行复核.其24~＃、25~＃重力坝段有相距很近的F_5、F_6断层斜穿坝基,共同形成12-16m宽的破碎影响带,原设计用固端深梁法设计混凝土塞进行处理.本文介绍了应用三维有限元理论和SAP5程序对24~＃、25~＃坝段与坝基进行了应力、位移、稳定分析,用计算成果与实测应力与变形资料进行对比.证明采用固端深梁法设计断层塞是偏于安全的,三维有限元分析方法较能反映结构的整体效应,是分析断层塞的一种有效方法.对于有复杂滑动面而且抗剪指标分布不均的整体滑动问题,用三维有限元分析成果计算较常用的材料力学方法能考虑更多的影响因素.     

硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响

SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素.     

CC$:一种面向分布式众核平台的并行编程语言

CC$是一种并行编程语言,目的是解决分布式众核并行计算机的编程困难。CC$的编程模型以Multi BSP 模型为基础,将分布式众核并行计算机的硬件架构抽象为3层。数据按照存储的层次和共享范围分为5类,以便在不 同层次上提供共享。LL$还提出一类虚拟指令来解决不同层次之间的数据交换,实现数据访问的逻辑化描述。并行 程序按照3层Multi BSP超步嵌套执行。CC$具有统一的编程风格、内建的多层会共地址空间、数据访问请求的表达 式描述和数据传输编译优化4大特点。测试表明,CC$程序的运行效率高,易学易用,大幅地缩短了开发周期。     

BASIC语言的图形功能(二)

本文将接续上一期的内容继续登载BASIC语言的一些实用编程子程序。另外本编辑部备有上述子程序的实例软件,感兴趣者请注意本期软件服务台的有关信息。     

大尺寸各向同性热解炭材料的制备与表征

采用一种新的旋转基体稳态流化床沉积装置制备大尺寸的各向同性热解炭材料。利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜和XRD对各向同性热解炭材料的微观结构进行了表征，并对其力学性能进行了测试。结果表明，改进后的旋转基体稳态流化床沉积工艺能够制备出大尺寸的各向同性热解炭材料。材料的结构均匀，气孔较少，主要由球形颗粒状碳结构组成，构成这种球形颗粒状碳结构的是乱层结构的石墨片层堆积体。各向同性热解炭与传统炭材料相比具有较高的杨氏模量、硬度和强度。     

热处理对各向同性热解炭材料微观结构和力学性能的影响

对化学气相沉积法（CVD）制备的各向同性热解炭材料在不同温度下进行热处理，利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜、X射线衍射和显微激光喇曼光谱等表征手段及显微硬度实验、三点弯曲实验，研究了材料的微观结构和力学性能与热处理温度之间的关系。结果表明，随着热处理温度的提高，各向同性热解炭材料的石墨片层间距缩小，石墨化程度增加，晶粒尺寸增大，同时材料中的孔隙结构也发生了较大的变化。材料的显微硬度和弹性模量随热处理温度的升高而降低，抗弯强度在1750℃和2400℃之间没有变化，在2600℃时有显著的增加。     

表面状态对浸树脂石墨复合材料密封性能的影响

采用高压浸渍呋喃树脂工艺制备了浸树脂石墨复合材料,并将其加工成密封环进行气密性检验。利用车加工、磨加工及表面抛光等处理方法得到不同的材料表面状态,研究了表面状态与材料密封性能之间的关系。结果表明,浸树脂工艺能大幅提高材料的综合性能,可以作为高性能机械密封材料得到应用。材料的表面状态与其密封性能密切相关,表面微观形貌引起的O型胶圈封闭不严是影响材料密封性能的关键因素。