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讨论了不同条件下多晶硅片的表面碱刻蚀工艺,并通过失重率、扫描电镜、紫外可见近红外光谱仪,对刻蚀后的多晶硅片以及后续制备的多晶黑硅进行系统的表征。研究结果表明,多晶硅表面碱刻蚀的最佳工艺为:刻蚀时间240s,刻蚀温度80℃,氢氧化钾溶液浓度67.2g·L～(-1),碱刻蚀添加剂A为5m L·L～(-1)。采用该工艺处理后,硅片的平均失重率为2.737%,表面金字塔颗粒分布密集且大小均匀,制备成多晶黑硅后,对波长为600～1000nm光的反射率低至20%。 相似文献
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