名家名作:梁中秀、李爱珍、陈天赣漆艺作品选登

正~~     

高校教师健康体检数据分析及社区干预对策思考

面临高等教育事业的飞速发展,高校教师群体的健康状况令人堪忧而倍受人们关注。为探寻提升高校教师的健康意识和健康状况的有效方法,基于某高校近六年的体检数据,分析高校教师群体的健康状况并确定引起健康异常的主要因素。结果表明,体检结果完全正常的人数比例偏低,具有高血压、心脏病等慢性病的人数比例偏高,且有逐年增加的趋势。基于高校社区卫生服务管理,有针对性地提出社区卫生服务对高校教师健康进行有效干预的对策,从而为促进高校教师的健康状况提供参考。     

呼和浩特市园林植物主要刺吸类害虫综合防治技术研究

从城市特定的生态环境出发,确定了刺吸类害虫作为该市昆虫区系的优势类群,作者在该文中重点对5种严重危害园林植物的刺吸类害虫进行了详细观察和分析,提出了明确的结论,并筛选出有效的防治药剂及综合防治措施.     

分子束外延锑化物激光器、探测器材料与器件研究

Ⅲ-Ⅴ族锑化物由于具有一些独一无二的特点,使它越来越受到重视。首先锑化物的禁带宽度比砷化镓的小,与砷化镓相比,它在中红外应用方面有其独特的优势。其次,锑化物和砷化物组成的微结构材料能带排列包含了跨立式的Ⅰ型、错开式的Ⅱ型和反转型的Ⅱ型,这些导致的能带排列为凝聚态低维量子物理基础研究、创造新材料、新器件、新概念提供了广阔的天地。工作于2～5μm中红外波段的锑化物激光器、探测器在特征分子光谱仪、毒品检测、环保、红外遥感、遥测、激光医学及光电子对抗中有重要的应用。但锑化物材料存在大的不互溶隙,处于不互溶隙内的多元系锑化物材料为亚稳态应变材料,使得生长高质量     

GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength

报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件,室温下以脉冲方式激射,20℃下阈值电流密度为3.8kA／cm2,外微分量子效率为9.3%．     

MBE GaAs/Si材料应力性质的研究

用光致发光谱及高分辨率的X射线双晶衍射对 MBE GaAs/Si异质结材料进行研究,发现GaAs外延层和Si衬底存在一定的晶向偏离,整个GaAs外延层呈现双轴张应力,这是GaAs和Si的晶格失配导致的双轴压应力和热膨胀系数失配导致的双轴张应力的总结果.本文根据一定的物理假设,推导出GaAs外延层中的平均应力,表明应力与材料所处的温度相关.据此,本文进一步用光致发光谱测量了25K至 260K温度范围内的应力,发现应力随温度的增大而下降,与理论公式反映的规律吻合.     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

半导体激光器后腔面高反射涂层的研究

采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料，ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和Ag保护膜，在激光器后腔面实现了高反射涂层。经激光器光电特性测试表明，该高反射膜系能使激光器输出功率提高60％，阈值电流减小20％～50％，并且具有良好的化学稳定性、热稳定性和机械强度，能有效保护半导体激光器后腔面。     

水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型，研究了反应气体在反应室内的浓度场，讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响，并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明，厚度均匀性良好，直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660aresee。