具有低暗电流的全金属化耦合封装InGaAs/InP平面PIN光电二极管

本文报导了一种具有先进结构的InGaAs/InP平面PIN光电二极管。该器件的响应度最高可达0.95μA/μW,结电容一般小于1pF,暗电流在室温-5V下最低为0.02nA。     

稀土掺杂红色发光材料的制备与改性研究

采用高温固相法合成了不同助溶剂掺杂的CaO:Eu~(3+)荧光粉体。在209nm激发下,得到640nm较强烈的红光发射峰,归属于Eu~(3+)离子~5D_0~7F_2电子跃迁。并研究了添加助溶剂对荧光粉发光强度的改变,当添加助溶剂NH4Cl后,荧光粉体的发光强度并没有得到提高,反而使得荧光粉性能变差,而当添加H_3BO_3助溶剂后,荧光粉的发光强度得到10%左右的提升;最后研究了煅烧温度对荧光粉体发光性能的影响,样品在1000℃煅烧后表现出来的发光强度最差,而在1100℃煅烧后,荧光粉的发光性能达到最高。     

光纤数字图像传输模块的研制

研制了一种采用光纤(缆)连接的数字视频接口,即光纤数字图像传输模块,采用该模块可以对图像进行远距离数字化传输.简述了其工作原理,介绍了模块研制过程中的各项关键技术,给出了实验结果并对其进行了讨论.     

背照式φ500μm InGaAs/InP探头

本文报导了一种采用平面工艺制作的背照式φ500μm InGaAs/InP探头。该探头的光谱响应范围为1.0～1.65μm,响应度在1.3μm处为0.65～0.8μA/μW,暗电流在-2mV下为10~(-11)～10~(-12)A,最小可探测功率优于-70dBm。     

用于制作长波长光电探测器的Ga_xIn_(1-x)As/GaAs异质结多元汽相外延

采用Ga-In(InAs)-AsCl_3-H_2系统,在衬底材料GaAs单晶片上,生长出了适合于制作长波长光电探测器的、晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)As外延层,并成功地制造出了GT301型p-i-n光电探测器。该探测器已正式通过定型鉴定。光敏面为φ100μm的探测器,反向击穿电压典型值在50伏以上;在-5V的偏置下,暗电流小于10nA,最小低于3nA;采用同轴二型管座带光纤耦合封装,二极管电容一般在1.2pf以下。在1.28μm波长下,光电灵敏度典型值在0.5μA/μW以上,最高达0.76μA/μW;响应时间为:上升时间t_r≤60ps,下降t_f>100ps。