三氢化铝的合成工艺研究

近年来,随着不可再生能源危机和环境污染的日益加重,三氢化铝作为一种潜在的绿色氢能源载体,因其较高的储氢量和较低的释氢温度,受到科学家们的广泛关注和研究。文章对三氢化铝的合成方法,液相有机金属合成影响因素,中介物结构和热力学特性进行了综述,并展望了其发展趋势。     

四氟化硅气体中杂质的检测及净化研究进展

介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。     

硅烷的纯化技术与检测分析方法

高纯硅烷主要用于电子和半导体行业中,是一系列含硅化合物的基本原料。概述了硅烷的纯化技术和分析方法。纯化技术有吸附法、冷冻法、精馏法;检测分析方法包括DID、PDHID气相色谱分析仪和气相色谱—质谱联用分析仪。     

太阳能级多晶硅生产工艺的比较研究

太阳能作为一种清洁的可再生能源为太阳能电池的发展开辟了广阔的市场,而太阳能电池的重要基础材料是多晶硅。因此,如何生产低成本、高品质的太阳能级多晶硅成为人们关注的核心问题。本文阐述了化学法、冶金法等包含的多种多晶硅生产工艺,并通过对各种工艺的分析比较,指出新硅烷法作为一种最具前景的太阳能级多晶硅生产工艺必将带来多晶硅行业的历史性变革。     

三氢化铝的结构及其储氢性能研究

近年来,三氢化铝作为一种新型的固态储氢材料,因其较高的储氢容量和较低的放氢温度,其在可移动氢源系统,特别是车载储氢燃料电池方面的应用研究愈加广泛。阐述了三氢化铝的晶体结构,对国内外在其储氢特性(分解脱氢热力学和动力学特性、可逆循环)和储氢改性方面(稳定化、去稳定化)的研究进展进行了综述,并展望了其未来发展趋势。     

傅立叶红外光谱在氟硅酸盐方面的应用

研究了用石蜡油法，溴化钾压片法对氟硅酸钠，氟硅酸钾的红外分析，得到了不同方法制得的红外谱图，确定了氟硅酸钠，氟硅酸钾吸收峰的位置。通过红外谱图分析，结果表明：氟硅酸钾的含量与其特征峰的吸收强度呈良好的线性关系，对氟硅酸钾做了简单的定量分析，得到相关系数达0．99以上。     

四氟化硅中痕量金属杂质的检测

SiF4用于作光导纤维、太阳能电池等电子工业等领域时需要有较高纯度。本文重点介绍了SiF4的杂质元素分析,用吸收剂吸收后,除去硅和氟元素后测定其他元素。为了更准确的测量,我们采用电感耦合等离子体发射光谱法同时测定SiF4气体中可能存在的铝、钙、碳、铁、镍、铬、铜、锌、磷、硼、铝、砷、镓、锑、铟等微量金属元素,确定杂质成分。并且同时检测空白样,对比杂质成分,进行分析。     

硅纳米线的生长机理及其应用

硅纳米线是一种新型低维度纳米材料,在太阳能电池、锂离子电池、场效应晶体管、生物传感器等方面具有广泛应用.较详细地介绍了硅纳米线的气液固、固液固、氧化物辅助三种生长机理,并总结各种生长机理优缺点.最后,介绍硅纳米线的相关应用,并展望其发展趋势.     

双掺杂Bi_2O_3电解质的合成及其电性能测试

通过双掺杂氧化镝和氧化钨于氧化铋中,合成电解质并对其导电性进行测试。通过差热-热重来分析其热性能,确定其合成的烧结温度;并利用粉末X射线衍射对合成材料进行相分析,利用交流阻抗谱方法测试、计算试样的电导率。结果表明,烧结温度800℃时可得到具有高电导率相的立方相萤石结构的粉体,并无其它晶型出现。经计算,掺杂后的氧化铋电解质在700℃时电导率达18.7 S/m,比目前使用最普遍的电解质材料YSZ电导率在500℃时高1~2个数量级。     

SiF_4气体中(SiF_3)_2O的净化方法

高纯度四氟化硅(SiF4)是电子工业中的一种重要原料,能用于光导纤维、太阳能电池和水泥硬化剂等的原料。详细介绍了SiF4气体中(SiF3)2O的生成原理和(SiF3)2O的净化方法,六氟二甲硅醚的纯化方法有活性炭吸附法,与含氟化氢的浓硫酸,氟气,氟化剂等物质发生反应,其中详细介绍了活性炭对四氟化硅气体中的杂质的净化效果。