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相似文献
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1.
介绍了四氟化硅气体中几类杂质的检测方法,主要包括气相色谱法、傅里叶变换红外光谱法、质谱法和微波波谱法。用气相色谱仪可以检测出四氟化硅中气体中C1~C4碳氢化合物;用高分辨率傅里叶变换红外光谱仪可以检测出SiF3OH,HF,SiF3H,SiF2H2,SiH3F,CO2,CO等气体杂质;用微波波谱仪可以检测出四氟化硅中CHF3,CH2F2,CH3F等气体杂质;用质谱仪可以检测出四氟化硅中SiF3H,SiF2H2,SiF3OSiF3等气体杂质。通过对比得出每种检测方法的优点和缺点。  相似文献   

2.
湿法(萃取)磷酸的生产是用硫酸分解磷矿石。磷矿石与硫酸反应,生成磷酸和磷石膏:Ca5(PO4)3F+5 H2SO4+nH2O→3H3PO4+5CaSO4·nH2O+HF所产生的氟化氢继续与原料中的二氧化硅或共它含硅化合物作用,生成四氟化硅:4HF+SiO2→SiF4+2H2O四氟化硅与水作用生成氟硅酸:3 SiF4 + 2H2O→2 H2SiF6+SiO2SiF4+2HF→H2SiF6此时只有少量SiF4和HF逸入气相,而大部分的氟留在磷酸中,影响磷酸的净化,并严重腐蚀设备。  相似文献   

3.
高纯度四氟化硅(SiF4)是新型硅烷法制备多晶硅的一种重要原料,其纯度影响硅烷及多晶硅的纯度及用途。本文对国内外市场上SiF4产品质量做了对比分析,并对以氟硅酸为原料生产SiF4气体中:含氧氟硅化合物、碳氢化合物、氟化氢、金属元素、碘等杂质提出定量分析方法。为国内生产高端的SiF4产品检测提供帮助。  相似文献   

4.
四氟化硅(SiF4)是电子和半导体行业中的一种重要原料,在光伏产业中占重要地位.详细介绍了四氟化硅的主要制备方法:硫酸法、Si-F2直接合成法、氟硅酸盐热解法和氢氟酸法,并对四氟化硅提纯工艺进行了比较.  相似文献   

5.
四氟化硅的生产概况   总被引:1,自引:0,他引:1  
四氟化硅(SiF4)是电子工业中的一种重要原料,它还能用作光导纤维、太阳能电池和水泥硬化剂等的原料。详细介绍了SiF4的物理、化学性质及危险特性。SiF4的工业生产方法主要有硫酸法、六氟硅酸盐热解法和Si-HF直接合成法3种。电子工业用SiF4需要有较高的纯度,重点介绍了SiF4的精制工艺,同时还介绍了SiF4经济概况。  相似文献   

6.
介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。  相似文献   

7.
介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。  相似文献   

8.
四氟化硅是一种重要的特殊电子气体,可用于电子和半导体行业,高纯度的四氟化硅还可作为非晶体硅、硅烷、多晶体硅、光纤等制备的原料,文章介绍了四氟化硅气体中气体杂质、金属杂质及碘的分析检测方法,初步确定了四氟化硅气体中的杂质分析。  相似文献   

9.
研究了一个新型反应,即SiF_4气体与CH_4气体反应生成无水HF气体和SiC固体。该反应在最大能量为20eV的等离子反应器的固定床中进行,反应一段时间后,收集反应器壁上固体,通过分析固体中的碳含量来判断四氟化硅和甲烷的反应情况。结果表明:四氟化硅和甲烷可以发生反应,但是速度十分缓慢。  相似文献   

10.
介绍了一种利用双通道氦离子化气相色谱仪(PDHID),分析四氟化硅中微量硅烷、磷烷、氟代烷、C2~C3碳氢化合物以及常见气体杂质的方法.由于四氟化硅具有很强的腐蚀性,在对其进行分析时,利用阀切割系统将大量的四氟化硅主要成分切割,及时地将四氟化硅反吹出去,使其不进入检测器系统.经过将四氟化硅气体进样检测验证,该方法能够有效测定四氟化硅气体中多种微量杂质.  相似文献   

11.
四氟化硅是电子工业中的一种重要原料,随着多晶硅等行业迅猛发展需求量逐渐增大。详细介绍了四氟化硅的应用及市场情况,并对氟气合成法、氟硅酸盐热解法、硫酸法、氢氟酸直接反应法这4种主要生产方法进行详细论述,讨论了各工艺方法的生产原理、工艺简述、研究状况并对工艺的优缺点进行了评价。就目前市场形势分析,国内四氟化硅需开发高端产品,以适应市场需求和参与国际竞争。  相似文献   

12.
一、前言在湿法磷酸的生产过程中,当硫酸分解磷矿时,硅以两种形态存在于湿法磷酸中,一为氟硅酸,另一为硅酸。其反应过程如下: Ca_5F(PO_4)_3+5H_2SO_4+5nH_2O→3H_3PO_4+5CaSO_4·nH_2O↓+HF 产生的氟化氢继续与原料中的二氧化硅或其他含硅化合物作用,生成四氟化硅: 4HF+SiO_2→SiF_4+2H_2O 四氟化硅与水作用生成氟硅酸与硅酸:  相似文献   

13.
四氟化硅作为生产多晶硅及其衍生物的原料,随着电子工业的发展以及硅基产业的扩大,对于四氟化硅的需求量逐渐增加。对四氟化硅生产工艺的研究越来越引起人们的重视。详细介绍了制备四氟化硅的4种方法,含硅源物质与含氟基团物质合成法、氟硅酸盐热解法、氟硅酸法、硫酸法,综述了国内外制备四氟化硅的研究进展情况,并评述了各工艺的特点。就目前研究表明,四氟化硅制备工艺需向环保、节能、高收率方向发展。  相似文献   

14.
四氟化硅是一种重要的特种气体,应用前景广阔。详细介绍了四氟化硅的性质、应用、制备方法及纯化方法,指出了每种制备方法及纯化方法的优缺点,并指明了后续的研究方向。  相似文献   

15.
高州县化肥厂普钙生产自61年投产以来,一直采用一次配酸、立式搅拌、皮带化成、拨水轮吸收室吸收氟气的工艺.由于硫酸分解磷矿过程中有大量的含氟气体逸出,主要是四氟化硅(SiF4)、氟化氢(HF).根  相似文献   

16.
四氟化硅     
1 SiF4的应用及经济概况 四氟化硅在电子和半导体行业中主要用于氮化硅、硅化钽等的蚀刻剂、P型掺杂剂、外延沉积扩散硅源等.还可用于制备电子级硅烷或硅。四氟化硅还可用作光导纤维用高纯石英玻璃的原料.它在高温火焰中水解可产生具有高比表面积的热沉二氧化硅。此外,四氟化硅还广泛用在制备太阳能电池、氟硅酸和氟化铝、化学分析、氟化剂.油井钻探、镁合金浇铸、催化剂、蒸熏剂、水泥及人造大理石的硬化剂等。在预制水泥中使用四氟化硅后.可增进其耐蚀性和耐磨性.改善其孔隙度和增加压缩强度。  相似文献   

17.
来稿摘介     
从六氟硅酸生产四氟化硅的新方法这是一种从磷肥工业废弃的副产物一六氟硅酸(H_2SiF_6)生产四氟化硅(SiF_4)气体的新方法,此法包括对该酸的难溶盐的沉降和分解。SiF_4是制造太阳能电池用硅的来源之一。  相似文献   

18.
COIB 31/04 GK85103917可膨胀石墨及其制造方法本法分别依次用硝酸和硫酸浸泡石墨粉,经水清洗后低温烘至含水量小于10%后,加入氧化钙粉末进行处理和筛分,使制成的可膨胀石墨具有稳定的高膨胀倍数。它适于制作各种密封件等。COIB 31/10 GK85103470活性炭的活化方法与设备本法使活性炭生产过程实现能源自给,并能适应多种原料,实现连续化生产。CO_1B 33/08 GK85102344生产四氟化硅的方法通过含有氟化硅气体的水解生产四氟化硅,水解物同氟化  相似文献   

19.
普通过磷酸钙生产过程中逸出的四氟化硅气体被水吸收以后,水解析出大量的含结晶水的二氧化硅,即硅胶。其水解反应按下式进行: SiF_4 4H_2O=SiO_2·2H_2O 4HF↑……(1) 2HF SiF_4=H_2SiF_6 ……(2) 由于硅胶里面包含有大量的氟硅酸,日积月累,成为工厂中的一害。流入江河、农  相似文献   

20.
氟硅酸是由以SiF4为核心的过氟氟硅酸nH2F2.SiF4、氟硅酸H2F2.SiF4和氧氟硅酸H2O.SiF4组成,萃取磷酸不是正磷酸H3PO4,而是以氟磷酸——mH2O.nH2F2.(P2O5.kSiF4)形式存在的,HF、SiF4还可与硫酸结合成氟硫酸。分析了在萃取磷酸浓缩过程中,当磷酸能量浓度CE(H3PO4)>73.13%条件下,SiF4与P2O5的能量系数α(SiF4)与α(P2O5)相接近,因此要从氟磷酸中脱氟非常困难,尤其是从含有Fe2O3、Al2O3、MgO等杂质的萃取磷酸中脱氟更为困难。  相似文献   

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