曹雨微[1],2,刘远2,孔会民1,2,岳萍2,唐大才2,林彦军1,[3]

以MgCl2为晶面调控剂，利用水热法对氢氧化镁（MH）的（001）晶面选择性生长进行调控，研究了晶面调控剂浓度、反应温度、反应时间等因素对MH颗粒的溶解和结晶作用。调控后产品各晶面的XRD衍射峰强度I001/I101和I001/I110较原料分别提高了214.30%和307.45%，百吨级中试产品的I001/I101和I001/I110较原料分别提高了84.08%和112.99%。采用XRD、FE-SEM、TEM、FTIR、粒度分析仪对MH产品的形貌、结构进行了表征，并对调控机理进行了研究。结果表明，MgCl2可以在水热体系中促进MH的（001）晶面选择性生长。一方面，MgCl2作为强酸弱碱盐降低了体系pH值，同时Cl－可以通过电荷中和效应使MH发生进一步加速溶解。另一方面，MgCl2提供的Cl－作用于MH的结晶过程，通过促进MH边缘生长，强化了（001）晶面的生长。     

高钙型低品位铜矿酸性浸出动力学研究

通过单因素实验及动力学分析研究了低品位氧化铜矿的浸出过程，考察了矿物粒度、浸出温度、硫酸浓度和液固比对浸出过程的影响。结果表明，适宜的浸出条件为: 矿物粒度-0.074 mm粒级占比85%、浸出温度60 ℃、浸出时间120 min、硫酸浓度2.5 mol/L、液固比4∶1，此时铜浸出率为96.23%; CaCO₃的存在导致浸出过程硫酸消耗增加; 浸出过程可用未反应核收缩模型来描述，反应速率受固膜界面传质和扩散混合控制，浸出过程活化能为8.78 J/mol。