VGF法生长6英寸Ge单晶中热应力的数值模拟优化

VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中均具有较低的温度梯度(这里的温度梯度是指的界面附近的温度梯度),尤其当晶体生长进入等径生长阶段后,晶体中的轴向温度梯度在2～3 K.cm-1之间,熔体中的轴向温度梯度0.8～1.0 K.cm-1之间;晶体中的热应力除边缘外均在(2～9)×104 Pa之间,低于Ge单晶的临剪切应力,且晶体生长界面较平整;坩埚与坩埚托之间的间隙对于晶体生长中的边界效应影响显著,将8 mm间隙减小至2 mm后,埚壁外侧的径向热流增加,使得晶体边缘的最大热应力减小至0.21 MPa和Ge单晶的临剪切应力相当,实现了热场的优化。     

<100>P型4英寸无位错锗单晶的研制

从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列的数值模拟研究,获得了4英寸无位错锗单晶的温度分布、轴向和径向的温度梯度分布以及热应力的分布结果:双加热器热场系统生长的锗单晶中轴向温度梯度在0.1~0.6 K·cm-1范围内,径向温度梯度为0.02~0.26 K·cm-1;锗单晶中局部区域的热应力值超过了锗单晶的临界切应力1 MPa,其他区域的热应力小于临界切应力。实验将双加热器热场系统中生长的无位错锗单晶,按要求切取测试片后进行位错腐蚀测量研究,获得测试片的位错密度和锗晶体的位错纵向分布。论文研究结果表明,锗单晶晶体中的应力分布数值模拟预期结果与实验生长的锗单晶位错腐蚀实验研究结果一致:该双加热器热场系统适合拉制4英寸无位错锗单晶;其位错呈离散分布,位错密度为350~480 cm-2。     

应用膨化技术酿造黄酒的研究

本文研究了膨化技术在黄酒酿造中的应用。 首先,探讨了膨化手段及不同工艺条件对糖化液出品率的影响,在研究过程中,应用了正交试验法和优选法选择出最佳工艺条件。试验结果表明,挤压膨化优于气流膨化,其出品率比对照样品提高24.84％。最佳工艺条件为:液化酶Ⅱ,糖化剂Ⅰ,液化半小时,糖化3小时,料水比为1比6。采用膨化新工艺酿造黄酒,挤压膨化和气流膨化黍米分别比未处理的对照黍米原料出酒率提高12.1%和18.7%;淀粉出酒率提高12.9%和20.2%;挤压膨化玉米则分別提高原料和淀粉出酒率为27.5%和21.7%。应用膨化技术酿造黄酒,改革了传统的工艺和原料结构,减少了酒母用量,缩短了发酵周期,节约了能源,减轻了工人的劳动强度,改善了卫生状况,产品质量和卫生指标符合要求,经济效益显著,该项研究通过了技术鉴定并投产。     

Low Temperature Growth of GaAs on Si byIon Beam Cluster Technique

ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓｏｎＳｉｂｙＩｏｎＢｅａｍＣｌｕｓｔｅｒＴｅｃｈｎｉｑｕｅＹｕＨｕａｉｚｈｉ，ＦｅｎｇＤｅｓｈｅｎ，ＬｉｕＪｉａｎｐｉｎｇ（余怀之）（冯德伸）（刘建平）（ＧｅｎｅｒａｌＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕ...     

二氧化钛包覆无芯光纤的硫化氢气体传感器性能研究

提出了一种基于二氧化钛薄膜包覆无芯光纤的硫化氢气体传感器。该传感器将两段不同长度的无芯光纤熔接在单模光纤两端,构建由两段单模光纤-无芯光纤-单模光纤结构组成的干涉仪。由于光从单模光纤进入无芯光纤中激发出不同阶模式,形成基于多模干涉的干涉仪,通过在无芯光纤外表面构造的二氧化钛薄膜对硫化氢气体的吸附,将气体浓度与干涉光谱的偏移联系起来,实现对硫化氢的检测。实验表明:在0~60 ppm的范围内获得了18.93 pm/ppm的灵敏度和良好的线性关系,且随着硫化氢浓度的增加,干涉谱呈现红移,响应和恢复时间分别约为80 s和110 s。该传感器具有结构简单、灵敏度高、制造方便等优点,在硫化氢气体的安全监测领域有潜在的应用价值。     

智能技术在绝缘在线诊断系统中的应用

提出了将智能技术引入到绝缘在线诊断中 ,根据已经得到的在线测量数据的特点 ,研究了在线数据的预处理方法 ,并将相关分析法和时间序列法用于绝缘征兆的提取。     

含铌铝基复合材料制备参数优化设计

以纯铝粉、KBF4、K2ZrF6、K2NbF7为原料,采用原位反应法制备铝基复合材料。为确定多相颗粒增强铝基复合材料的较佳制备工艺参数,以铝基复合材料的力学性能(抗拉强度和硬度)为评价指标,采用正交试验设计方法,研究原料的添加量以及熔铸温度对铝基复合材料性能的影响。结果得出:添加K2ZrF6、K2NbF7和KBF4均能提高铝基复合材料的力学性能;对铝基复合材料的抗拉强度的影响程度按从高到低的顺序为:K2ZrF6含量、K2NbF7含量、KBF4含量、熔铸温度;对铝基复合材料硬度的影响程度按从高到低的顺序为:KBF4含量、K2NbF7含量、熔铸温度、K2ZrF6含量;在本试验的数据范围内较优的工艺参数组合为A3B4C4D3。     

用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs

本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下在Ｓｉ衬底上外延生长ＧａＡｓ的初步实验结果．实验表明：Ａｓ＋离子束轰击对于去除Ｓｉ上自然氧化层是有效的，在衬底温度为５５０℃得到ＧａＡｓ单晶．     

康复型园艺景观设计中植物的后期运营与管理维护

随着十九届五中全会的召开,健康中国战略被写入"十四五"规划中,保障人民健康应放在优先发展的战略位置.园艺疗法作为一种辅助性的治疗方法,借由实际接触并运用园艺材料,维护美化植物或庭园,接触自然环境而纾解压力与复健心灵,对于人们的精神卫生和心理健康具有重要作用.而对于植物或庭院的后期运行管理与维护直接影响其效能的发挥以及在城市中的广泛推广,因此康复型园艺景观设计的后期运营与管理维护的重要性日渐凸显.文章首先对康复型园艺景观日常运营管理维护内容进行针对性补充,并聚焦于"冬季休眠期后花园的激活方法""从设计出发的运营维护"以及"花园废弃物的再利用"三个方面,以此为康复型花园提供具有实操性的运行维护管理方案,为其长效运转发挥指导性作用.     

低位错锗单晶片的表面位错腐蚀研究

锗单晶在红外以及空间太阳能电池都有广泛应用。目前,超过90%的空间电源都是锗基太阳能电池,使得低位错锗单晶成为空间太阳能电池的基础材料。太阳能电池使用的锗单晶要求位错密度低于1000 cm-2,高效电池甚至要求单晶位错密度低于300 cm-2,其对锗单晶片内部的位错数量要求不断提高,对位错密度测量精度提出更高的要求。采用HNO3-HF体系的抛光腐蚀液对锗单晶片进行处理,通过择优腐蚀显示位错。通过改变金刚砂粒度、抛光温度、抛光时间、腐蚀温度、腐蚀时间、晶向偏离角度等条件,从表面粗糙度及金相图表面形貌等方面进行了比较和分析,确定了不同条件下的锗单晶片抛光腐蚀情况,以及晶向偏离角度大小对位错密度偏差的影响。结果表明,采用本文确定的切割、研磨、表面腐蚀方法,位错形貌清晰显现完全,位错测量误差可以控制在5.5%以内,能够保证测量精密度。为实际应用中锗材料位错密度测量及腐蚀工艺的改进提供实验依据及理论参考。