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设计并使用真空电弧炉制备了NixTi24Zr12Nb10Ta12Mo5W5(x=5, 10, 15, 20, 32, 35)高熵合金含能结构材料。采用XRD、EPMA、万能试验机等手段研究了不同Ni含量下合金的相组成、微观组织及力学性能。结果表明,随着Ni含量增加,合金的微观组织由BCC1+BCC2+Ni10Zr7+Unknown四相结构转变为BCC1+BCC2+Ni10Zr7+Unknown+FCC五相结构;当x=20时合金呈现出最佳的强塑性匹配,屈服强度为1 653 MPa,压缩伸长率约为19%;随着Ni含量增加,合金硬度先升高后降低,当x=20时合金硬度(HV)达到最大值为592。 相似文献
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提出一种新的提纯工艺即通过造渣与电磁感应熔炼相结合的方法来去除冶金级硅中的杂质硼。采用自行设计的真空感应熔炼炉进行不同造渣系条件下除硼的研究。结果表明,SiO2-CaO-Al2O3渣系的除硼效果优于其它渣系,在1823K经过2h精炼后,冶金级硅中的硼含量由原来的1.5×10-5降到0.2×10-5。同时冶金级硅中的Al,Ca和Mg杂质得到了精炼,去除率分别达到85.0%,50.2%和66.7%。表明电磁感应造渣法是一种非常有效的去除冶金级硅中的硼和其他一些金属元素杂质途径。 相似文献
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难熔高熵合金在反应堆结构材料领域的机遇与挑战 总被引:1,自引:0,他引:1
传统反应堆结构材料性能已趋于极限,亟需开发新型材料。难熔高熵合金是以多种难熔元素作为主元的新型金属材料,具有独特的力学、物理和化学性质,尤其在高温力学、抗辐照等方面表现出优异的性能。难熔高熵合金在第4代核裂变反应堆包壳材料、核聚变堆面向第一壁材料等关键领域具有广阔的应用前景。本文结合具有代表性的文献,围绕难熔高熵合金的力学性能、抗辐照性能、抗氧化性能阐述了其强化机制与抗辐照机理,梳理了难熔高熵合金的发展脉络,在此基础上展望了难熔高熵合金在反应堆结构材料领域的应用前景。 相似文献
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随着环境保护的需要,具有较低Pb含量或不含Pb元素的多元低熔点合金越来越受到工业界的重视和青睐,但是该类合金的组织结构形态、相组成和基本的物理化学数据比较缺乏,不利于其工业化应用。鉴于此,文章对两种具有较低Pb含量的Sn_(16)Bi_(52)Pb_(32)(质量分数)合金和In_(21)Sn_(12)Bi_(49)Pb_(18)(质量分数)合金进行了凝固组织、相组成以及物化性能方面的研究。扫描电镜(SEM)、差示扫描量热法(DSC)、X射线衍射(XRD)等分析测试结果表明:Sn_(16)-Bi_(52)Pb_(32)合金由Bi-(Pb)固溶体相、Sn-(Bi,Pb)固溶体相以及Pb_7Bi_3化合物相组成,具有准规则共晶凝固组织结构。而In21Sn12Bi49Pb18合金由InBi化合物相、PbBi化合物相以及Sn-(Bi,In)固溶体相组成,具有复杂规则的共晶组织形貌。 相似文献
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磷是多晶硅中的主要杂质元素之一,目前采用的酸洗以及定向凝固工艺无法将其含量降低到太阳能级多晶硅所要求的范围之内。采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉研究了真空度、精炼时间和精炼温度对除磷效果的影响。研究结果表明当炉内压强为5.0×10-1 Pa时,精炼温度和时间分别为1723K和60min时,精炼后硅中磷含量由原来的2.0×10-5(质量分数)降低到1.8×10-6(质量分数);研究推导出了在压强为5×10-1Pa下磷的含量随精炼时间和精炼温度的关系式如下:XP=X0Pexp[(-1.43×10-4-3.1×10-7T)t]同时还对真空感应熔炼除磷过程进行了热力学与动力学分析。 相似文献
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Solar cells are currently fabricated from a variety of silicon-based materials.Now the major silicon material for solar cells is the scrap of electronic grade silicon(EG-Si).But in the current market it is difficult to secure a steady supply of this material.Therefore,alternative production processes are needed to increase the feedstock.In this paper,EBM is used to purify silicon.MG-Si particles after leaching with an initial purity of 99.88%in mass as starting materials were used.The final purity of the silicon disk obtained after EBM was above 99.995%in mass.This result demonstrates that EBM can effectively remove impurities from silicon.This paper mainly studies the impurity distribution in the silicon disk after EBM. 相似文献
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本文立足于经典形核理论和非热形核理论,分析了过冷熔体非平衡凝固中连续形核同位置饱和的竞争.决定过冷熔体形核方式的关键因素是初始熔体的过冷度与异质核心的尺寸.随着净化的进行,熔体过冷度提高,N1,r^*以及△G^*逐渐降低,它们之间的相互竞争使形核方式从位置饱和向连续形核转变,并解释了过冷Ni-Sn与Ni-Si共晶合金中观察到的组织变化.表明低过冷下Ni-Sn合金形核方式为位置饱和;Ni-Si共晶合金中,△T〈180K时形核方式为位置饱和,180K以后,形核方式从位置饱和转变为连续形核. 相似文献