溅射非晶态硅薄膜光学特性

作者用自己改装的椭圆偏振光谱仪在可见光范围内研究了射频溅射非晶态硅薄膜的光学性质;提出能同时确定薄膜折射率实数部分n和消光系数K的实验方法;对不同生长条件的薄膜进行测量,获得n与K随λ变化的资料.     

TPP-1型椭圆偏振光谱仪

一、前言椭圆偏振光谱仪是一种研究和测定薄膜、表面及固体的光学仪器。它是通过分析光在样品上反射时偏振状态的变化进行测量的,这种测量对表面结构和表面过程非常敏感、精确度     

用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质

利用椭圆偏振光谱仪测定了无定形硅在可见光范围的光学常数.对不同工艺条件下由射频溅射制备的无定形硅样品进行测量,获得了n-λ、k-λ关系的数据,并由此计算出光学能隙、介电常数和反射率.文中还比较和讨论了本实验结果与别人用反射率法测得的蒸发制备无定形硅的结果.     

射频溅射非晶硅薄膜的光电性质

本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等离子体氢化处理)对薄膜特性的影响.实验条件变化范围是:溅射时氩的气压(3～15×10~(-3)TORR);等离子体氢处理的时间及温度(O～120',200～400℃).关于射频溅射非晶硅薄膜及等离子氢化处理的工艺规律,可参阅作者其它论文.