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1.
在化学镀Ni-P合金溶液中加入纳米Al2O3微粒,通过化学沉积法制备Ni-P/纳米Al2O3复合镀层.用扫描电子显微镜(SEM)观察复合镀层的表面形貌,用显微硬度计和平磨机测试Al2O3复合量、热处理等工艺条件对Ni-P/纳米Al2O3复合镀层硬度及耐磨性能的影响.结果表瞬,复合纳米Al2O3粒子后,Ni-P合金镀层的硬度和耐磨性显著提高,而且随着Al2O3复合量的增大镀层硬度和耐磨性不断增加.当纳米Al2O3复合量为10.1%时,Ni-P/纳米Al2O3复合镀层的硬度较Ni-P增大28%,磨损质量损失减少20%以上.400℃热处理后.复合镀层的硬度由570HV增加到1180HV. 相似文献
2.
采用复合电沉积法制备了AC(活性炭) / Ni-Co 复合电极。XRD 和SEM 测试结果表明, AC 微粒的复合未改变Ni-Co 合金电极的物相结构, 但使镀层的表面粗糙度和真实表面积增大。通过稳态阴极极化曲线和电化学交流阻抗技术考察了不同电极在1 mol·L-1 NaOH 溶液中的催化析氢性能, 结果表明, 镀液中AC 含量为3 g·L-1时所制备的AC/ Ni-Co 复合电极较Ni 电极和Ni-Co 合金电极具有更高的催化析氢活性, 电流密度为30 mA·cm-2时, 析氢反应极化电位分别比Ni 电极和Ni-Co 合金电极正移230 mV 和140 mV , 表观交换电流密度分别是Ni 电极和Ni-Co 合金电极的42 倍和9 倍, 复合电极催化析氢性能的提高主要归因于电极真实表面积的增大。 相似文献
3.
在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰p-Si电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20 min时,Pd颗粒的直径约为80 nm.XRD测试结果表明,Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37 nm.重点研究了Pd/p-Si电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/p-Si电极的析氢过电位较无光照减小约250 mV,比半导体Si减小约450 mV(电流密度为2.5 mA8226;cm-2时).电化学交流阻抗谱(EIS)表明,光照下Pd/p-Si电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12 Ω8226;cm2降低至442.20Ω8226;cm2,光照下的析氢反应速率明显增加. 相似文献
4.
5.
紫铜海水管焊接部位在海水中的腐蚀特征 总被引:2,自引:0,他引:2
采用金相显微镜、X射线衍射仪、扫描电镜结合能谱测试技术研究了紫铜海水管焊接接头部位在海水中的腐蚀特征。结果表明:采用黄铜焊条的接头部位为α β双相黄铜,在海水中发生了严重的不均匀脱锌腐蚀,脱锌后合金表面的颜色由黄变为紫红;腐蚀产物主要由ZnCl2和ZnSO4等锌盐和锌的氧化物ZnO2和ZnO组成,此外还含有少量的铜绿Cu3(SO4)(OH)4;采用白铜焊条的接头部位为Cu-Ni-Zn三元单相固溶体(α相),在海水中浸泡前后结构未发生变化,表面较致密、无明显孔洞和点蚀,与黄铜焊缝相比,具有优异的耐海水腐蚀性能。 相似文献
6.
通过交流电沉积的方法在铝阳极氧化膜的孔内沉积金属铜,制备了铝基抗菌功能性材料;测试了沉积铜的铝阳极氧化膜的抗菌性能.结果表明:电沉积铜的铝阳极氧化膜对大肠杆菌、绿脓杆菌、粪链球菌和金黄色葡萄球菌的抗菌率均大于95%.透射电子显微镜表征了铜在氧化膜孔内的沉积形貌,铜在铝阳极氧化膜孔内呈连续的线状形貌,直径为25 nm. 相似文献
7.
用电沉积法在不同镀液温度下制取了Cr-Mo合金镀层。於60℃5%H_2SO_4、40℃10%FcCl_3·6H_2O、30℃3%NaCl水溶液中,对在不同的镀液温度下所制得的镀层进行了腐蚀浸泡试验,测定了点蚀电位、镀层内应力、表面显微硬度以及耐磨性。结果表明,在30℃镀液温度下所获得的Cr-Mo合金镀层,其耐蚀性和耐磨性均优,具有实用性,这同此种镀层的内应力较小、钼元素含量较高等因素有关 相似文献
8.
镍阳极氧化膜形成和破坏过程的光电化学响应 总被引:2,自引:0,他引:2
测定了镍表面阳极氧化膜在pH=8.4硼砂-硼酸缓冲溶液中不同电位下的光电流响应。基于阻抗测量结果的计算表明,钝化膜的平带电位和载流子密度分别为-0.68V和1.3×10(20)cm(-3)。对钝化膜和高价氧化膜在形成、生长和破坏过程中的光电流变化进行了现场监测。 相似文献
9.
采用单槽控电位双脉冲技术在n-Si(111)晶面上制备了[Ni80Fe20/Cu]n多层膜,用SEM观测了多层膜的断面形貌,利用X射线衍射(XRD)表征了多层膜的超晶格结构。采用四探针法研究了多层膜的巨磁电阻(GMR)性能,结果表明,多层膜的GMR值随着Cu层厚度的变化发生周期性振荡,随着NiFe层厚度的增加先增大后减小;当样品结构为[NiFe(1.6 nm)/Cu(2.6 nm)]80时,GMR值可达6.4%;多层膜的最低饱和磁场仅为750Oe。磁滞回线测试结果表明,反铁磁耦合多层膜具有较小的矩形比,更适宜作为磁头材料。 相似文献
10.