镍基高温合金GH202高温氧化后的微观组织演变

研究了镍基高温合金GH202在800~1100 ℃高温氧化后晶粒、碳化物和强化相的演变过程。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜和电子背散射衍射对其微观结构进行了表征。结果表明：镍基高温合金的硬度随氧化温度的升高而降低，1100 ℃氧化100 h后，硬度降低了43.5%。800和900 ℃氧化后晶粒生长速度较慢，而经900 ℃氧化后晶界碳化物析出显著增加。在1000和1100 ℃氧化后，晶粒尺寸明显增大。氧化过程中晶界迁移是由晶界两侧自由能差决定，温度越高，晶界向曲率中心迁移越快，大量细小晶粒被吞并形成了大晶粒。大块状碳化物（MC）分解成大量的碳原子，与Cr原子结合形成少量的富Cr颗粒状M₂₃C₆。在900 ℃氧化150 h后，M₂₃C₆演化为富Ti的M₆C。随着氧化温度的升高，碳化物在γ相中回熔。在800、900和1000 ℃氧化后，γ′相逐渐长大，在1100 ℃氧化100 h后，完全溶解于γ相。     

炮采工作面新型挡煤板的设计与应用

针对垞城煤矿炮采工作面劳动强度大、回采率低、工作面浮煤清理效果差、工序循环慢等一系列问题,结合该矿22105(下)炮采工作面的实际,对常规挡煤板进行了重新设计,从材质、尺寸、性能参数等各方面进行改进,经过试用取得了较好的效果。     

GCL复合垂直柔性防渗墙在垃圾填埋场应用及施工工艺探讨

水泥—膨润土作为柔性防渗墙墙体材料,在欧美国家已经得到广泛应用。近几年来我国在一些垃圾填埋场、危险废弃物处置中心等工程项目也引进了该项技术,但是水泥—膨润土和GCL防水毯(钠基膨润土防水毯)复合体作为垂直防渗墙的研究及应用国内比较少见,通过定远县炉桥镇垃圾填埋场GCL复合垂直柔性防渗墙工程的施工,探讨该技术的施工工艺。     

CMOS/SOD电路的高温工作特性

采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。     

40MN热模锻曲轴断裂力学分析

热模锻曲轴是压力机械的关键部件,它承受了全部工作载荷.由于其形状复杂,加工困难,所以造价较高.本文用断裂力学的观点,对含裂纹的40MN热模锻曲轴寿命作了定量分析,并对曲轴的质量检查标准提出了较合理的建议.     

多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究

本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。     

“灵巧能源网络”发展的探讨

在网络技术日益成熟的今天,如何以低成本将网络延伸至设备功能控制级将成为关注的焦点。由此就引出了NEST(Netware EmbeddedSystem Technology)网络嵌埋系统技术。该系统的基本思想就是将控制芯片嵌埋在用户的产品中,这包括各种家用电器、办公设备,水、电、气表等公用设施,从而使办公室及家庭可通过现存的电源线传输控制命令,实现对电器的智能     

汽轮发电机转子解剖试验结果及分析

通过对6 MW转子的解剖试验,找出了转子超声波探伤缺陷超标的根本原因是由疏松引起的裂纹。通过合理选择冶炼、锻造工艺可解决该问题。     

稻秸秆绳排水体真空固结处理高含水率疏浚淤泥可行性研究

为研究稻秸秆绳的排水能力及稻秸秆绳排水体用于真空负压加固疏浚淤泥的可行性,研制秸秆通水量测试装置,采用室内真空固结模型试验,并开展秸秆排水体通水能力测试。试验结果表明:稻秸秆排水体的排水能力能够达到传统塑料排水板的排水能力,但受稻秸秆排水体编织方式、所受负压大小及降解时间等因素影响,随真空负压的减小而增加,随降解时间的增加而减小。疏浚淤泥真空负压模型试验结果显示,以稻秸秆排水体为竖向排水体真空负压处理疏浚淤泥时,泥面沉降及含水率等处理效果接近塑料排水板,因此,以秸秆绳排水体替代塑料排水板是可行的。     

半导体光刻技术及设备的发展趋势

随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。