自蔓延高温合成表面涂层技术进展

介绍了自蔓延高温合成技术用于表面涂层的SHS熔铸涂层、SHS气相传输涂层、SHS铸渗涂层、SHS烧结涂层、SHS喷射沉积涂层和自反应涂层技术的原理、应用和发展 ,并指出了存在的问题     

SnO2纳米材料制备技术的研究进展

综述了SnO2纳米材料制备技术的研究进展,报道了一种制备纳米纤维的新方法——热爆形变合成法,讨论了用该方法制备纳米纤维的基本条件。采用该方法制备出了SnO2纳米纤维,并进行了SEM和XRD分析。结果表明,SnO2纤维的直径约20-100nm,其X-射线衍射谱与标准的SnO2衍射谱完全一致。与其它方法相比,热爆形变合成法具有设备简单、操作方便、生产率高、产物无团聚等优点,稍加研磨就可获得长度不同的短纤维。但是,反应过程难以控制,这是热爆形变合成法的主要缺点。     

铝及铝合金的表面处理及应用

综述了铝及铝合金表面处理技术的研究进展,讨论了铝及其合金表面处理的各种方法,并对它的应用前景进行了简述。     

应用于无线传感器网络低噪声放大器的设计

本文给出一种应用于无线传感器网络射频前端低噪声放大器的设计,采用SMIC0．18μmCMOS工艺模型。在CadenceSpectre仿真环境下的仿真结果表明：该低噪声放大器满足射频前端的系统要求,在2．45GHz的中心频率下增益可调,高增益时,噪声系数为2．9dB,输入P1dB压缩点为-19．8dBm,增益为20．5dB;中增益时,噪声系数为3．6dB,输入P1dB压缩点为-15．8dBm,增益为12．5dB;低增益时,噪声系数为6．0dB,输入P1dB压缩点为-16．4dB,增益为2．2dB。电路的输入输出匹配良好,在电源电压1．8V条件下,工作电流约为6mA。     

超重力下燃烧合成TiC-TiB2细晶复合陶瓷

采用超重力下燃烧合成工艺,以快速凝固方式制备出TiB2系列含量的TiC-TiB2细晶复合陶瓷。XRD、FESEM与EDS分析表明,随TiB2含量的增加,TiC-TiB2复合陶瓷基体从TiC微米球晶组织逐渐转化为TiB2小尺寸片晶组织,且对于TiB2含量为50%的TiC-TiB2复合陶瓷,可获得TiB2小尺寸片晶均匀镶嵌于TiC基体上的共晶组织。力学性能测试结果表明,TiB2的摩尔分数为50%的TiC-TiB2复合陶瓷因在凝固过程中发生共晶反应,陶瓷相对密度和硬度均达到最高值(分别为98.6%和18.4GPa),并且因TiB2小尺寸片晶在裂纹扩展时所诱发的裂纹偏转、桥接及片晶拔出增韧机制的协同作用,TiB2的含量为66.7%的TiC-TiB2复合陶瓷具有最高的断裂韧度(13.4MPa·m0.5)。     

微弧氧化技术与材料表面陶瓷化

介绍了一种在非铁合金表面原位生长陶瓷层的新技术,比较了微弧氧化与阳极氧化的工艺特点及膜层性能,综合分析了微弧氧化的国内外研究状况及应用前景。     

LY12Al合金微弧氧化过程中电流和电压变化规律

研究和分析了微弧氧化过程中电流和电压变化规律以 及微弧产生的机理.结果表明,电压是影响微弧氧化的主要因素之一,电压值过高将造成陶 瓷膜的破坏.电流值在微弧氧化过程中的各个阶段相异.微弧氧化过程具有明显的阶段性, 可初步分为初始氧化膜形成阶段、微弧诱发阶段和平衡氧化阶段.     

铝的微弧氧化机理与膜层结构的对应关系

叙述了分析了微弧氧化陶瓷膜的生长规律,电流变化规律。根据建立的膜层结构与对应电压的关系模型,研究了微弧氧化陶瓷膜的生成机理。     

射频CMOS低噪声放大器输入匹配网络的研究与设计

本文对低功耗射频CMOS低噪声放大器的输入匹配网络进行了研究。采用台积电TSMC0.18μmCMOS工艺模型,通过ADS电路仿真软件对设计的低噪声放大器电路进行了优化设计和仿真,仿真结果表明在2.4GHz中心工作频率下,该低噪声放大器满足射频接收机的系统要求,它的噪声系数NF约为2.57dB,增益S21约为16.2dB,输入反射系数S11约为-13.3dB,输出反射系数S22约为-21.9dB。电路的输入匹配和输出匹配情况良好。     

燃烧合成复合陶瓷制备及固化过程温度场模拟

基于燃烧合成技术,在SHS铝热剂燃烧体系中添加ZrO2组元,采用超重力离心技术,制备出了Al2O3/YSZ共晶复合陶瓷板材.通过测定陶瓷熔体表层、石墨模具温度随时间的变化,结合有限元方法,对陶瓷熔体的固化过程温度场进行了有限元数值模拟分析.结果表明:随着复合陶瓷熔体冷却速度的降低,气孔与宏观裂纹等缺陷消失,晶粒形貌也由棒状共晶团转化为胞状共晶团.