首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14篇
  免费   4篇
  国内免费   1篇
综合类   1篇
金属工艺   2篇
机械仪表   2篇
矿业工程   3篇
能源动力   4篇
无线电   1篇
一般工业技术   5篇
自动化技术   1篇
  2024年   1篇
  2022年   3篇
  2021年   1篇
  2018年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   2篇
  2009年   1篇
  2006年   4篇
  2004年   2篇
排序方式: 共有19条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
黄毅  谢翔  沈向前 《现代矿业》2022,(3):171-174
针对露天矿山开采面传统监测手段需在监测面布设设备,且不能实现全面监测的缺陷,结合圆弧式地基雷达具有监测面广、监测频率高、监测精度高、耐候性好等优点,采用圆弧式地基雷达对采场边坡进行验证试验.简述了该雷达系统的工作原理,并将该雷达系统在某矿山的采场边坡进行了应用试验,并对试验结果进行了分析.结果表明:该雷达系统能准确有效...  相似文献   
3.
以3D碳/碳复合材料为销试样、铬青铜QCr0.5为盘试样进行了载流条件下的干滑动摩擦磨损试验。通过对有、无电流条件下销试样磨损量大小和摩擦因数影响度的比较,以及对销试样摩擦表面进行的微观形貌分析,结果表明,电流对铬青铜/3D碳/碳复合材料摩擦副的干摩擦行为具有显著的影响,并且由于电场、摩擦热、电弧热的共同作用,在销试样表层发生了磨粒磨损和氧化磨损。  相似文献   
4.
磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
沈向前  谢泉  肖清泉  丰云 《真空》2012,49(1):65-69
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素.本文用有限元 分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particle in cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响.模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深;靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小.模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好.  相似文献   
5.
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。  相似文献   
6.
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似(GGA)对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的P型半导体,禁带宽度为0.6230eV,光学带隙变宽,价带主要是Si的3p、Ca的4s、3d以及K的3p、4s态的贡献;静态介电函数ε1(0)=14.4;折射率n0=3.8;吸收系数最大峰值为3.47×105cm-1。通过掺杂调制材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。  相似文献   
7.
8.
针对边远地区通信不畅、无法将地质灾害监测信息及时外发的难题,结合LoRa无线通信技术和北斗短报文技术的优势,对系统感知层内部通过LoRa实现各个单元间的信息交互。为弥补北斗短报文通信技术信息发送量少的弊端,采用感知端进行终端分析解算,将关键的异常和报警信息编辑成简短报文,外部通信采用北斗短报文通信技术。这种方式能有效地...  相似文献   
9.
退火对磁控溅射法制备半导体Mg2Si薄膜的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过磁控溅射和氩气氛围退火,在Si(111)衬底上制备环境友好半导体Mg2Si薄膜,并采用XRD和SEM研究了退火对Mg2Si薄膜形成和微结构的影响。结果表明Mg2Si薄膜的质量取决于退火温度、退火时间和沉积的薄膜厚度。制备Mg2Si薄膜,400℃退火5h是最优退火条件。XRD和SEM结构表明Mg2Si是通过沉积的Mg和Si衬底原子的相互扩散形成的。退火减少薄膜缺陷,也影响薄膜的表明粗糙度。  相似文献   
10.
针对二维激光雷达数据存在噪声误差的问题,分别采取了线性最小二乘滤波、移动平均滤波、中值滤波、Savitzky-Golay(SG)滤波等方法对点云数据进行了平滑处理.利用实验数据对采用的方法进行了分析,结果表明所采用滤波方法都能够有效地对数据中的噪声误差进行过滤,但需要根据实际情况选用合适的滤波方式以获得最好的滤波效果.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号