退火时间对高压扭转Al-1.0Mg铝合金组织及性能的影响

对Al-1. 0Mg合金进行了高压扭转和195℃退火处理,并通过显微硬度仪、XRD、TEM等研究了高压扭转Al-1. 0Mg合金的热稳定性。结果表明,经过10 min、30 min和90 min退火后,合金的硬度相较高压扭转后未退火试样的硬度分别降低了21. 6%、27. 2%和34. 4%。随着退火时间的延长,基体中的宏观应力逐渐消除,晶格畸变程度逐渐降低,晶粒尺寸逐渐增大,但硬度下降的速度逐渐减小。经195℃退火90 min后,高压扭转Al-1. 0Mg合金的硬度为82HV,仍然是未变形合金的两倍以上。     

一种快速捕获、带宽可调的锁相环电路

设计实现了一个快速捕获,带宽可调的电荷泵型锁相环电路。采用了一种利用状态机拓展鉴频鉴相器检测范围的方法,加快了环路的锁定;通过SPI总线实现电荷泵电流配置和调整VCO延时单元的延迟时间,优化了电路性能。芯片采用中芯国际0.18μmCMOS工艺,测试结果表明,锁相环锁定在100MHz时的抖动均方值为24ps,偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-98.62dBc/Hz。     

A 0.8-3 GHz RF-VGA with 35 dB dynamic range in 0.13μm CMOS

正A wideband variable gain amplifier(VGA) implemented in 0.13μm CMOS technology is presented. To optimize noise performance,an active feedback amplifier with 15 dB fixed gain is put in the front,followed by modified Cherry-Hooper amplifiers in cascade providing variable gain,which adopt dual loop feedback for bandwidth extension.Negative capacitive neutralization and capacitive source degeneration are employed for Miller effect compensation and DC offset cancellation,respectively.Measurement results show that the proposed VGA achieves a 35 dB gain tuning range with an upper 3-dB bandwidth larger than 3 GHz and the input 1 dB compression point of-29 dBm at the lowest gain state,while the minimum noise figure is 9 dB at the highest gain state. The core VGA(without test buffer) consumes 32 mW from 1.2 V power supply and occupies 0.48 mm2 area.     

高压扭转纯铝的微观组织及晶界结构

室温下对纯铝高压扭转10圈,通过电子背散射衍射分析技术(EBSD)研究了高压扭转纯铝的微观组织及晶界结构。结果表明:变形后纯铝的晶粒尺寸细化至250～1200 nm之间,尺寸200～700 nm区间的晶粒最多,占统计晶粒数的76%,平均晶粒尺寸为530 nm,为典型的超细晶组织。经过仔细观察,在极个别细小的超细晶组织周围发现了晶粒尺寸大于1000 nm的粗大晶粒,但就整体而言,变形后纯铝的晶粒分布较为均匀。纯铝高压扭转后大角度晶界占所有晶界的81%,小角度晶界占19%,大角度晶界数量明显高于小角度晶界,这表明变形过程中发生了动态再结晶。纯铝变形后低重位点阵晶界占29. 14%,其中∑3晶界占7. 2%,以非共格孪晶界为主。     

一种具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器

设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿。采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75°C温度范围内的变化范围不超过3dB。可变增益放大器的3dB带宽为0.8～3GHz,输入1dB压缩点为-50～-21dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6mW。     

一个具有40dB增益、4.5dB噪声系数的应用于6-7GHz IR-UWB接收机的0.13μm CMOS射频前端设计

本文中使用0.13μm CMOS工艺实现了一款应用于脉冲式超宽带无线电的接收机射频前端电路。由于使用了欠采样的接收机架构,接收机中不再具有混频过程。因此,低噪声放大器和可变增益放大器均需要直接处理宽带射频信号。为了优化噪声和线性度,低噪声放大器使用了具有电容交叉耦合的全差分共栅结构,在1.2V电源下仅消耗了1.8mA电流。低噪声放大器之后,一个具有两级结构的电流引导型可变增益放大器被用来实现增益调节功能。同时,低噪声放大器和两级可变增益放大器共同构成了一个三级参差峰化网络,以提高接收机的总体带宽。测试结果表明,该射频前端模块在6-7GHz带宽内实现了5-40dB的增益调节范围,最小噪声系数和最大输入三阶交调分别达到了4.5dB和-11dBm。电路总体功耗为14mW,使用1.2V电源电压,核心部分芯片面积为0.58mm2.     

A 0.8–3GHz RF-VGA with 35dB dynamic range in 0.13μm CMOS* Qin Xi(秦希), Huang Xingli(黄杏丽), Qin Yajie(秦亚杰), Hong Zhiliang(洪志良)?

本文提出了一种使用0.13μm CMOS工艺实现的宽带可变增益放大器（VGA）结构。为了优化该VGA的噪声性能,一个具有15dB固定增益、采用有源反馈结构的预放大器被用来作为第一级,之后采用级联的改进型Cherry-Hooper放大器提供增益调节,双反馈环路在这里被用来扩展Cherry-Hooper放大器的带宽。负容性中和和电容源极退化技术分别被用来进行密勒效应补偿和直流失调取消。测试结果显示,该VGA达到35dB增益调节范围,其高端3dB带宽大于3GHz,在最低增益时,1dB压缩点为-29dBm,在最高增益时,噪声系数达到9dB。该VGA（不包括输出缓冲器）在1.2V电源电压下消耗32mW功率,占用芯片面积为0.48mm₂。     

提升抗连续倒塌能力的钢框架梁柱刚性节点设计理念与方法

以方钢管柱隔板贯通式节点为研究对象，为提高其抗连续倒塌性能，提出了采用改进型全螺栓连接和加固型栓焊连接的钢框架梁柱刚性节点设计方法。通过试验及有限元模拟分析，考察不同连接构造的节点在中柱失效工况下的性能。结果表明：改进型全螺栓连接构造能够延缓下翼缘断裂，使节点子结构在更大的变形下保持传力截面的完整性，弯曲机制和悬索机制提供的抗力能同时发展至较大的值；加固型栓焊连接构造保证下翼缘连接板件在焊接连接失效后继续有效传力，且使螺栓孔壁局部承压塑性破坏优先发生，传力截面在更大的变形下能保持其完整性，梁端轴力可达到全截面轴拉屈服承载力，悬索机制提供的抗力可充分发展。因此，改进型全螺栓连接构造与加固型栓焊连接构造可提高结构的抗连续倒塌能力，验证了设计方法的可行性。     

矩形钢管柱隔板贯通式节点抗结构连续倒塌的改进型连接构造与性能模拟

针对传统矩形钢管柱隔板贯通式栓焊连接构造,以提升结构鲁棒性为目标,提出了一种改进型全螺栓连接构造。考虑了断裂模拟及裂后路径跟踪的数值模拟分析结果表明,改进型全螺栓连接构造能够提高下翼缘连接区域传力失效前梁柱子结构的竖向变形能力,并充分发挥梁内轴向拉力产生的悬链线作用,进而使梁柱子结构提供更大的竖向承载力,可应用于提高结构抗连续倒塌能力的设计。