强磁场对碱液腐蚀制备多晶硅表面织构的影响

目的在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加具有方向性的强磁场,研究强磁场对多晶硅表面织构减反射的影响。方法在非磁场和1、2、3、4 T磁场作用下,用NaOH溶液腐蚀制备多晶硅表面织构,用电子天平称量表征硅片腐蚀程度,用奥林巴斯LEXTOLS4100共聚焦显微镜观察多晶硅片表面形貌,用Ocean Optics USB4000光谱仪测量多晶硅片的反射率,用WT-1200硅片测试仪测量样品少子寿命。结果随磁感应强度的增大,多晶硅片的腐蚀程度增强,多晶硅片腐蚀程度由非磁场条件下处理的2.1%,变化为磁感应强度为1 T时的2.8%,2 T时的3.9%,3 T时的5.3%,到4 T时的6.3%,同时多晶硅表面织构变得均匀且细腻。多晶硅片的反射率随磁感应强度的增大而降低,由非磁场条件下处理硅片的23.9%,变化为磁感应强度为1 T时的19.2%,2 T时的17.5%,3 T时的15.9%,到4 T时的14.5%。另外,随磁感应强度的增大,多晶硅片少子寿命略有降低。结论在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加强磁场,多晶硅片腐蚀程度增强的同时,表面织构的微结构更趋合理,减反射效果显著。