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针对锗硅在形成金属锗硅化物时存在部分应力释放、界面形貌特性变差的问题,提出了在Si0.72Ge0.28上分别外延薄硅(Si)覆盖层和锗硅(Si072Ge0.28)缓冲层的工艺方案.实验结果表明,通过两步快速热退火,两个方案的工艺条件都能形成低阻的NiuPt1-uSitGe1-v和改善NivPt1-uSitGe./Si0.72Ge0.28的界面形貌.但相比较而言,在Si0.72Ge0.28上外延10 nm Si覆盖层的方案能够形成更好的NiuPt1-uSivGe1-t/Si0.72Ge0.28界面形貌.与没有改进的方案相比,该方案形成的肖特基接触更具有更低的肖特基接触势垒高度,更易形成欧姆接触. 相似文献
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随着国内天然气产业快速发展和装备制造水平提高,我国发展天然气分布式能源条件逐渐成熟。辨风看向国家能源局在近日召开的新闻发布会上表示,将研究制定《促进可再生能源发展的指导意见》、《关于发展 相似文献
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从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果。其次,讨论了原位掺杂、固相外延、低温离子注入以及激光退火技术对于提高源/漏掺杂浓度的作用。然后,介绍了通过控制SiGe材料的有效质量来优化接触电阻的技术。最后,通过结合原位掺杂、激光退火和固相外延等先进技术,实现了与CMOS工艺兼容的接触电阻优化集成,满足7/5 nm技术节点的需要。 相似文献
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研究了具有甲基末端和碳桥结构的多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜的化学组成、孔结构和力学性能。对薄膜进行不同的固化处理,形成稳定的多孔薄膜结构。结果表明,在空气环境中固化时,由于氧气的存在,碳桥形成硅醇的过氧化物自由基被破坏,薄膜的机械性能降低。尽管氮气固化样品中保留了乙烯桥接基团,空气固化样品的力学性能仍优于氮气固化样品。原因是空气固化中微孔的坍塌增加了薄膜内部密度,为硅醇基团的缩合创造了更有利的条件。 相似文献
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针对薄壁筒形件内外齿加工效率低、成本高、精度低等问题,采用筒形件作为坯料,开展了旋挤复合成形工艺研究。分析了旋挤复合成形工艺相关运动规律、材料流动特性;通过理论计算及数值模拟确定相关成形工艺参数;然后加工相关工装,成形出高精度薄壁内外齿筒形件,并对相关工艺参数及数值模拟模型进行了验证。研究结果表明,旋挤复合成形工艺可实现高精度薄壁内外齿零件的高效制造;且相关工艺参数合理可靠;建立的数值模拟模型可对成形中材料流动及回弹特性准确预测;所得成果为此类零件旋挤成形工艺的开发提供了相关依据。 相似文献