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1.
在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键合强度也与键合丝和焊盘之间的界面反应联系密切,因此了解键合丝与铝焊盘之间金属间化合物的形成与演变对键合可靠性的影响是有必要的。本文综述了Au/Al、Ag/Al和Cu/Al三种键合界面上金属间化合物的形成与演变的研究现状,并根据目前的应用状况,展望了未来的应用发展前景。  相似文献   
2.
电镀金工艺中金氰化物([Au(CN)_2]~-)溶液在过程中会释放出剧毒的游离氰化物离子,严重危害到生产人员和自然环境的健康;此外,它们还会对光刻胶造成一定的破坏。近年来无氰电解质得到了发展。基于对50余篇文献的分析,本文比较了亚硫酸金([Au(SO_3)_2]_3~-)、硫代硫酸金([Au(S_2O_3)_2]_3~-)和二者混合电解液,以及其他硫基体系的组成、操作条件、电沉积机理和优缺点,并展望了基于无氰配体电解液的软金电镀技术的研究趋势和发展方向。  相似文献   
3.
采用盐酸+氯酸钠溶解-沉淀除杂-选择性液相还原-煮洗等联合工艺制备蒸发材料用高纯金并进行应用性能分析。结果表明,溶解后的金溶液采用氢氧化钠调整溶液pH值去除部分杂质元素;金溶液采用还原剂选择性还原;得到的金粉用稀硝酸、盐酸煮洗,获得纯度99.999%以上,碳和硫含量均小于1×10~(-6)的高纯金;以制备的高纯金为原料加工的蒸发材料清洁性好,可作为集成电路芯片制造用蒸发材料。  相似文献   
4.
高纯金(wAu99.999%)在电子、半导体和通讯行业中的靶材、引线和集成电路等方面应用日益广泛。介绍了高纯金制备技术包括化学还原法、萃取法和电解法的基本原理和工艺流程及各自存在的优缺点,并阐述了高纯金制备技术的研究现状,对其发展前景进行了展望。  相似文献   
5.
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99 Ni1、(Au88 Ge12)97 Ni3、(Au88 Ge12)95 Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化...  相似文献   
6.
金锗合金在电子工业中的应用   总被引:1,自引:1,他引:1  
阳岸恒  谢宏潮 《贵金属》2007,28(1):63-66
金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S (金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用.  相似文献   
7.
高纯金广泛应用于电子工业等领域,且需求量越来越大。基于对30篇近期文献的分析,综述了高纯金制备技术研究现状,并对主要制备技术存在的优缺点进行了评述。电解法、化学还原法、溶剂萃取法都在相关企业得到了生产应用,但在产品纯度稳定性、原料适应性、生产周期、环境污染等方面存在着不同程度的问题。随着电子工业技术的不断迭代升级,未来对于金纯度要求将会越来越高。因此,还需要进一步研发高纯金的制备技术,研制出更高纯度的高纯金产品。  相似文献   
8.
以纯度99%的工业硅为原料,通过造渣熔炼、电子束炉真空熔炼和定向凝固手段进行了太阳能级多晶硅制备的研究。结果表明:通过造渣熔炼、电子束炉熔炼、两次定向凝固的工艺成功地将工业硅中的总杂质含量(质量分数)降到了1 ppm以下,其中B低于0.3 ppm、P低于0.5 ppm、总金属杂质含量TM低于0.2 ppm、C浓度低于5×1016atoms/cm3、O浓度低于1.0×1017atoms/cm3,产品达到太阳能级多晶硅标准。与国内外已公布的冶金法制备太阳能级多晶硅工艺流程相比,本工艺未采用酸洗,清洁高效,没有任何污染。  相似文献   
9.
针对传统的银电解工艺在电解过程当中产生杂质铜难以去除和在高电流密度下银电解工艺需解决等问题,结合无铜离子在银电解过程中的作用机制和高电流密度下银电解特点研发出一种新型的电解法生产高纯银,即无铜离子高电流密度银电解集成技术,试验结果表明:电解体系中无铜离子,通过添加KNO3和K2SO4试剂,并采用高电流密度进行电解,可以明显改善电解液的导电性能和银粉的析出性能。  相似文献   
10.
由于高纯金及金基蒸发材料具有良好的物理化学性能,广泛应用于金属-半导体系统,是半导体行业的重要基础材料。目前,金基蒸发材料用作工业化生产的主要有丝材、块状、棒状等产品,并大量用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件生产,具有良好的经济效益及社会效益。  相似文献   
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