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在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键合强度也与键合丝和焊盘之间的界面反应联系密切,因此了解键合丝与铝焊盘之间金属间化合物的形成与演变对键合可靠性的影响是有必要的。本文综述了Au/Al、Ag/Al和Cu/Al三种键合界面上金属间化合物的形成与演变的研究现状,并根据目前的应用状况,展望了未来的应用发展前景。 相似文献
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电镀金工艺中金氰化物([Au(CN)_2]~-)溶液在过程中会释放出剧毒的游离氰化物离子,严重危害到生产人员和自然环境的健康;此外,它们还会对光刻胶造成一定的破坏。近年来无氰电解质得到了发展。基于对50余篇文献的分析,本文比较了亚硫酸金([Au(SO_3)_2]_3~-)、硫代硫酸金([Au(S_2O_3)_2]_3~-)和二者混合电解液,以及其他硫基体系的组成、操作条件、电沉积机理和优缺点,并展望了基于无氰配体电解液的软金电镀技术的研究趋势和发展方向。 相似文献
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金锗合金在电子工业中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S (金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用. 相似文献
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以纯度99%的工业硅为原料,通过造渣熔炼、电子束炉真空熔炼和定向凝固手段进行了太阳能级多晶硅制备的研究。结果表明:通过造渣熔炼、电子束炉熔炼、两次定向凝固的工艺成功地将工业硅中的总杂质含量(质量分数)降到了1 ppm以下,其中B低于0.3 ppm、P低于0.5 ppm、总金属杂质含量TM低于0.2 ppm、C浓度低于5×1016atoms/cm3、O浓度低于1.0×1017atoms/cm3,产品达到太阳能级多晶硅标准。与国内外已公布的冶金法制备太阳能级多晶硅工艺流程相比,本工艺未采用酸洗,清洁高效,没有任何污染。 相似文献
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