Pd／Ag纤维复合材料的制备工艺

用包套拉伸法和挤压法制备Ｐｄ／Ａｇ纤维复合材料，并通过金相和电子显微镜分别观察其微镜分别观察其微观结构，测试其性能，如电阻率，硬度，强度及接触电阻等。通过对比其工艺性及所得材料的微观结构和性能，认为挤压法优于包套拉伸法。此种Ｐｄ／Ａｇ纤维复合材料适合Ｐｄ／Ａｇ型复合铆钉和生产复铜铆钉。     

Pd／Ag纤维覆铜触点的制备及其金相组织

用ＡＮ１／ＷＳ型卿钉机加工由挤压法和包套法制备Ｐｄ／Ａｇ５２纤维复铜触点，并进行微观结构剖析，指出挤压更适用于ＡＮ１／ＷＳ型卿钉生产复铜触点。寿命试验后微观结构剖析表明，触点在试验过程中始终保持纤维状态，不会明显形成固溶体合金。     

低温密闭消解-KIO3电位滴定法测定金合金中常量锗

研究了低于GeCl4挥发温度密闭分解含锗的金合金的技术、KIO3电位滴定常量Ge的方法和提高方法选择性的条件;比较了电位与传统碘淀粉终点指示法对分析结果准确度、精密度,终点稳定性和敏锐度,方法选择性等的影响。结果表明:在优化条件下,控制消解温度不超过75℃时,9mL HCl-2 mL H2O2能完全消解0.10 g样品,且无Ge的损失。经蒸馏分离收集锗,消除Au(Ⅲ)及常见共存离子的影响。电位终点指示法与传统碘淀粉终点指示法对锗滴定结果准确度基本一致,电位终点指示法实用性更强。方法用于AuGe12、AuGeNi12-2、AuAgGe18.8-12.5、AuAgGeNi43.8-6-0.2等系列金锗合金中6%～13%锗含量的测定,标准偏差和相对标准偏差分别为0.0214%～0.0450%和0.304%～0.391%,样品加标回收率99.11%～100.99%。     

难溶金锆系列合金的微波消解及锆的滴定

提出了HCl-H2O2微波快速消解难溶AuZr、AuAgZr合金的新方法,优化了样品预处理及EDTA滴定以测定Zr(Ⅳ)含量的条件;考察了在不同HCl酸度下,预处理过程对Zr价态的影响;对比了本法与传统方法的分析结果.研究表明:在4.5%～6.0%HCl下,Zr以 4价状态存在,本法与传统方法测得Zr(Ⅳ)的结果吻合,但本法新颖,消解快速、节能,分析操作简便、易于掌握,测定3～20mgZr(Ⅳ)量,相对误差-0.33%～ 0.08%.本法明显优于传统方法,适宜推广应用.     

氨氧化用铂合金催化网技术进展

随着我国化工、材料行业的不断发展,使得对氨氧化用铂合金贵金属催化网技术的要求也越来越高。介绍了铂合金催化网应用状况、铂合金技术发展状况、各种技术的优缺点及铂合金催化网未来发展方向。     

高纯金制备技术研究现状与展望

高纯金(wAu99.999%)在电子、半导体和通讯行业中的靶材、引线和集成电路等方面应用日益广泛。介绍了高纯金制备技术包括化学还原法、萃取法和电解法的基本原理和工艺流程及各自存在的优缺点,并阐述了高纯金制备技术的研究现状,对其发展前景进行了展望。     

Ni对AuGe12合金组织和性能的影响

通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99 Ni1、(Au88 Ge12)97 Ni3、(Au88 Ge12)95 Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化...     

金锗合金在电子工业中的应用

金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S (金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用.     

金锡合金钎料研究现状

介绍AuSn20合金钎料的性能和制备方法。分析传统铸造拉拨轧制法、叠层冷轧复合法、电镀沉积法以及金锡钎料焊接工艺技术的利与弊及改进情况。     

金锡合金钎料研究现状

介绍AuSn20合金钎料的性能和制备方法.分析传统铸造拉拨轧制法、叠层冷轧复合法、电镀沉积法以及金锡钎料焊接工艺技术的利与弊及改进情况.