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桥梁同步顶升技术在旧桥改造中近些年有广泛的应用,本文针对跨越既有铁路线的公路连续梁桥为对象,从顶升的几个技术参数方面进行计算分析,并进行了详细设计。所得成果在同类桥梁改造中有一定的参考价值。 相似文献
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一种新型高压功率器件终端技术 总被引:3,自引:1,他引:2
为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术.采用TCAD(ISE)时该技术进行模拟,结果表明,该技术具有比较好的面积优化和击穿电压优化特性. 相似文献
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交流控制器是交流电动叉车的核心,如何选择并应用好交流控制器非常重要。针对因交流控制器选型不当而出现的"电机及控制器频繁热保护,比直流系统更加费电"的问题,从目前叉车常用驱动和控制技术入手,通过理论和实际应用,分析了不同控制技术的优缺点,为交流叉车控制系统的合理应用提出了可供参考的意见。试验结果表明,矢量控制技术在牵引控制系统中有明显优势,而起升系统中可以采用滑差控制技术,但滑差控制器的参数一定要与电机匹配好。 相似文献
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转载机是现代煤矿机械化开采过程中一种重要的中间转载输送设备,现主要介绍了转载机在运行过程中可能出现的故障及其维修方式。 相似文献
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在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时,为了总剂量辐照加固的需求,需要减薄氧化层的厚度,然而,从VDMOS器件的开关特性考虑,希望栅氧化层厚度略大些。本文论证了在保证抗辐照特性的需求的薄氧化层条件下,采用漂移区多晶硅部分剥离技术以器件动态特性的可行性,研究了该结构对器件开启电压、击穿电压、导通电阻、寄生电容、栅电荷等参数的影响,重点研究了漂移区多晶硅窗口尺寸对于VDMOS动态特性的影响。模拟结果显示,选取合理的多晶硅尺寸,可以降低栅电荷Qg,减小了栅-漏电容Cgd,减小器件的开关损耗、提高器件的动态性能。 相似文献
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提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型参数提取工作的难度,具有很强的通用性,易于移植优化及数据拟合. 相似文献
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