同位素中子源活化瞬发分析装置

一、基本原理自六十年代中期以来,中子活化瞬发γ射线元素分析技术(PNAA)得到人们广泛重视。与通常的中子活化分析(NAA)技术相比,它分析的是样品中的主要成分,若用同位素中子源,还可进行实时在线连续测定及现场分析。PNAA技术是用热中子与待测元素发生中子俘获反应,处于激发态的产物核在瞬间     

中子活化瞬发γ射线元素分析技术初探

自六十年代中期以来,中子活化瞬发γ射线元素分析技术(PNAA)在地质勘探、材料成份分析、工业流线监测、以及医学生物学中得到实际应用。与通常的中子活化(NAA)技术相比,它分析的是样品主要成份的百分比含量,由于可利用同位素中子源,这样可在现场进行在线测定。PNAA和NAA一样,都是非破坏性分析,它适宜于大块物质的体分析、生物     

一种利用变通的离子散射谱测量进行浓度定标的二次离子质谱深度剖析…

本工作利用一台不作任何较大改动的ＣＡＭＥＣＡ－ＩＭＳ－３ｆ扇形磁铁型二次离子质谱仪对传统的离子散射谱（ＩＳＳ）分析技术进行了适当的变通，并对二次离子质谱分析（ＳＩＭＳ）的深度剖析谱进行了浓度定标。在保留ＳＩＭＳ分析高灵敏度、高深度分辨率的前提下，实现了对块体样品中的掺杂元素的ＳＩＭＳ定量深度剖析。通过与离子注入机标称的注入剂量及卢瑟福背散射的定量分析结果相比较，本方法的定量准确度一般好于１０％。而     

Ti-T靶中~3He测量

一、引言轻元素在材料中的含量及分布情况,是应用物理、应用技术等领域感兴趣的问题。目前,国外正在用各种核技术对此进行测量和研究。通常使用的Ti-T靶,因T的β衰变(T_(1/2)为12.33a),靶内~3He的含量将随制成靶的时间不同而变化。本文试图通过对不同时间制备的Ti-T靶中~3He的测量,探索测量和分析~3He的某种途径。     

一种利用变通的离子散射谱测量进行浓度定标的二次离子质谱深度剖析定量方法

本工作利用一台不作任何较大改动的ＣＡＭＥＣＡ－ＩＭＳ－３ｆ扇形磁铁型二次离子质谱仪对传统的离子散射谱（ＩＳＳ）分析技术进行了适当的变通，并对二次离子质谱分析（ＳＩＭＳ）的深度剖析谱进行了浓度定标。在保留ＳＩＭＳ分析高灵敏度、高深度分辨率的前提下，实现了对块体样品中的掺杂元素的ＳＩＭＳ定量深度剖析。通过与离子注入机标称的注入剂量及卢瑟福背散射的定量分析结果相比较，本方法的定量准确度一般好于１０％。而精确度则好于５％。本文对该方法的背景、基本原理、实验方法，准确度及优缺点等进行了较详细的讨论。     

一种有效的铝材料内部微结构观察分析方法

考虑到铝材料的应用在微电子等众多领域中的重要地位以及由于这类材料质地的柔软性而引起的制样困难 ,为了在几十纳米线度的水平上观察分析铝材料内部微结构状况及其变化规律 ,在分析、比较了目前常用的几种铝材料内部微结构观察分析的制样技术的基础上 ,介绍一种利用聚焦离子束技术 (Focused ion beam,FIB)来对铝引线进行制样与观察分析的方法 ,并得出了一些初步结果。     

铅同位素比值的飞行时间二次离子质谱法测量

介绍了用飞行时间二次离子质谱法对器物中的铅同位素比值的测量。在仔细地讨论了质量干扰、二次离子产额的同位素分馆效应等对测量结果的影响后，认为本工作无需标准样品，可以实现对样品无损的高质量分辨的二次离子质谱分析。铅同位素比值的测量精确度优于１％。