抑菌型含硅苯丙乳液的合成及性能研究

利用八甲基环四硅氧烷在酸性条件下开环反应合成端羟基聚硅氧烷,改变封端剂的种类获得不同端官能团的聚硅氧烷。将其与苯乙烯、丙烯酸酯单体进行自由基乳液共聚反应,制备了含硅苯丙乳液。通过傅里叶变换红外光谱仪、动态光散射仪、接触角测量仪、热重分析仪、扫描电子显微镜等对乳液组成、形貌和性能进行表征,考察不同类型及用量的聚硅氧烷对苯丙乳液性能的影响。利用枯草芽孢杆菌对乳液进行抑菌测试。结果表明,用聚硅氧烷改性的苯丙乳液粒径分布均一、疏水性提高、表面自由能降低、热稳定性提高,并且具有一定的抑菌性能。     

高分子材料与工程专业双语教学探讨

在理解高分子材料与工程专业双语教学内涵基础上,探讨高分子材料与工程专业双语教学内容、教学方法以及考核办法,从而建立高效教学运行机制。为培养出具备一定专业外语水平的复合型创新人才创造条件。本研究也为顺利推进双语教学,并最终实现高等教育的培养目标提供思路。     

高端电子产品中应用的挠性覆铜板

本文讨论了日本新日铁住金化学株式会社特许公开2014-80021中所述的用于高端电子产品的挠性覆铜板的制法及主要性能。     

丙烯酸酯共聚物/有机硅改性凹凸棒土复合材料的制备及性能研究

凹凸棒土(AT)经提纯后,通过使用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-570)对其进行有机改性,得到有机化的凹凸棒土(OAT),并对其进行FTIR和XRD表征,结果表明,KH570对凹凸棒土起到了良好的修饰改性作用。采用悬浮复合法合成了AT用量为0～5 phr的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)-聚丙烯酸丁酯(PBA)/凹凸棒土纳米复合材料(PMMA-PBA/(KH570-AT)-x),对复合材料进行扫描电子显微镜(SEM)、动态力学分析(DMA)和热重分析TGA等表征。SEM结果表明,KH570-AT的加入使复合材料断裂由脆性断裂向韧性断裂转变。通过对复合材料的综合热性能分析和力学性能分析,PMMA-PBA/KH570-AT-3复合材料的拉伸强度、弯曲强度和玻璃花转变温度(Tg)比纯PMMA-PBA分别高出15.72%、34.59%和4.74℃。     

印制电路用铝基覆铜板

本文介绍了印制电路用铝基覆铜板的几种制法及其性能。     

高导热高Tg阻燃型PCB基材研究

本文讨论了高导热性、高Tg阻燃型PCB基材的制法和主要性能。     

高密度印制电路板用铜箔的新型处理技术

在新一代电子产品中应用的系统封装（SIP）,是将几片大规模集成电路芯片安装在一块高密度布线的印制电路板上,这种印制电路板的线条在20μm以下。作为这种印制电路板基材的关键技术有这样几个方面：为适应高速信号的传输所用低介电常数绝缘层的开发;确保绝缘层与导线的良好粘接以及导线表面粗糙度的降低等。该公司在印制电路用铜箔处理技术方面有一定的优势,例如能处理数十nm水平的粗糙度均匀的铜箔表面;在此基础上开发成功了与低介电常数树脂基材有着良好粘接性的新型铜箔表面处理技术。这种方法主要是在原来的氧化还原处理之前进行一次贵金属处理。表面的粗糙度可达到原来处理的1／10以下,而抗剥强度仍保持在0．6kN／m以上：而且,此项技术也适用于10μm以下线条的印制电路板。得出的板材在85℃,85％相对湿度,DC 5V的条件下,1000小时后绝缘性能无异常变化,绝缘可靠性能优异。此项技术今后有望成为高密度印制电路板制造的重要技术保证。     

线阵相机二维高精度内方位元素标定

针对精密测角算法标定线阵相机内方位元素时仅标定一维方向的主点坐标及畸变,导致该标定算法适应性及精度受限的问题,提出了一种线阵相机二维高精度内方位标定方法。首先,分析了线阵相机内方位元素模型,然后,针对该模型提出了一种基于二维转台的二维标定方法,并给出了详细的标定步骤及数据处理方法,最后,将本文提出方法的标定结果与精密测角算法的标定结果进行了对比,结果表明,本文提出的标定方法的重投影误差为0.34pixel,相比于精密测角算法的1.25pixel,显著提高了标定精度,且标定时不需要进行对准、调平等操作,标定过程操作简单。     

聚酰亚胺/水滑石复合材料的制备与表征

采用固相预聚法,将4,4’-二氨基二苯醚（ODA）、联苯四甲酸二酐（BPDA）及水滑石的混合物进行充分研磨,再进行溶液聚合后通过热亚胺化得到聚酰亚胺/水滑石复合材料。采用傅里叶红外光谱仪和X-射线衍射仪对该复合材料的结构和组成进行表征,并对其热性能、力学性能和表面性能进行了分析研究。结果表明,采用此种方法可以得到水滑石剥离及分散较好的聚酰亚胺/水滑石复合材料,当水滑石含量在一定范围内时,复合材料的耐热性能、力学性能均得到一定程度的提高。     

均聚物调控的PS-b-P4VP薄膜的微相分离形貌

分别以聚丙烯酸(PAA)和聚氧化乙烯(PEO)与苯乙烯与4-乙烯基吡啶二嵌段共聚物(PS-b-P4VP)进行溶液共混并且旋涂成膜,采用原子力显微镜(AFM)研究了这两种均聚物对PS-b-P4VP薄膜微相分离形貌的调控作用。结果表明,PAA与P4VP链段之间强烈的氢键作用使得P4VP链段对PS链段的热力学排斥作用增强,当PAA质量分数为10%时,PS分散相区以规则的柱体垂直分布于由P4VP/PAA链段相互溶解所形成的连续相基体中。对于PS-b-P4VP/PEO共混体系,共混薄膜形成了PEO/P4VP分散相以柱状形态垂直分布在以PS链段聚集区为薄膜连续相基体中的微相分离形貌,由于PS链段无法在PEO/P4VP柱状微区上方形成覆盖,导致共混薄膜表面出现许多孔洞,孔洞底部伴有PEO链段部分结晶形成的锥状突起。随PEO含量增加,孔洞直径增大,孔洞底部的锥状突起也增大。