基于城乡统筹的涉农镇街规划工作探索——以南京市涉农镇街城乡统筹规划为例

文章简要分析了欧美发达国家乡村建设发展实践进程,指出了现阶段城镇化水平下南京开展城乡统筹规划的重点。以近期开展的试点镇街城乡统筹规划编制工作为例,重点介绍了南京在城乡统筹规划工作方面的创新之举。从规划编制工作完成后,主管部门、试点镇街、专家学者、规划编制单位和社会公众等规划参与主体对本轮城乡统筹规划的评价着手,总结了南京开展城乡统筹规划工作的有关经验。     

微波技术在大脑深层信息探测的应用研究进展

微波技术对大脑信息进行探测正处于发展时期,目前正逐渐走向成熟,现已用于实体的检测与操作中。通过联合超声波、核磁等方法,完善了微波信息探测体系,增强了微波信息探测的效率。本文基于对大脑深层信息探测的3种微波技术以及现有微波探测技术中存在的问题进行总结,并对微波技术未来在大脑信息探测上的应用进行展望。通过对3种不同微波探测应用的分析,发现微波技术对大脑的探测具有巨大的潜力。这些应用可以有效地为脑部组织或人体其他组织的病态检查提供解决方案。同时,通过与人工智能结合,微波技术还可用于脑部的远程监测或身体的其他部位的远程监测中。     

一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源

介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、温漂小、抗干扰能力强.电路选用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为250μm×350μm.经测量,电路功耗为0.9mW,输出差分参考电压的平均温度系数为9.5×10-6K-1.     

一种采用半速结构的CMOS串行数据收发器的设计

设计了一种单片集成的CMOS串行数据收发器.该收发器用于线上速率为1.25Gb/s的千兆以太网中,全集成了发送和接收的功能,主要由时钟发生器、时钟数据恢复电路、并串/串并转换电路、线驱动器和均衡器组成.为了降低系统设计难度和电路功耗,收发器采用了半速率时钟结构.电路采用1.8V 0.18μm 1P6M CMOS数字工艺,芯片面积为2.0mm×1.9mm.经Cadence Spectre仿真验证以及流片测试,电路工作正常,功能良好.     

低功耗、全差分流水线操作CMOSA/D转换器

提出一种基于运算跨导放大器共享技术的流水线操作A/ D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗和面积.采用这种结构设计了一个10位2 0 MS/ s转换速率的全差分流水线操作A/ D转换器,并用CSMC0 .6 μm工艺实现.测试结果表明,积分非线性为1.95 L SB,微分非线性为1.75 L SB;在6 MHz/ s采样频率下,对1.84 MHz信号转换的无杂散动态范围为5 5 .8d B;在5 V工作电压、2 0 MHz/ s采样频率下,功耗为6 5 m W.     

基于区域协调的城市总体规划编制方法的新探索——以南京市城市总体规划修编为例

从工作组织和技术方法两个方面系统阐述了新型区域协调规划理论在南京城市总体规划修编工作过程中的应用与实践.针对不同层次区域协调空间构建的目标定位、技术方法、内容重点、行动措施等方面进行总结和思考.尝试提出新时期城市总体规划的区域视野由传统点状城镇体系规划向更高层面的区域协调规划延伸和拓展的路径与方法.     

一种512 Kbit同步高速SRAM的设计

设计了一种深亚微米 ,单片集成的 5 1 2 K( 1 6K× 32位 )高速静态存储器 ( SRAM)。该存储器可以作为IP核集成在片上系统中。存储器采用六管 CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路 ,以期达到最快的存取时间。该存储器用 0 .2 5μm五层金属单层多晶 N阱 CMOS工艺实现 ,芯片大小为 4.8mm× 3.8mm。测试结果表明 ,在 1 0 MHz的工作频率下 ,存储器的存取时间为 8ns,工作电流 7m A。     

2.4 GHz、增益可控的CMOS低噪声放大器

介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大器依然具有良好的性能指标 :在 2 4GHz工作频率下 ,3dB带宽为 6 6 0MHz,噪声系数NF为 1 5 8dB ,增益S2 1为 14dB ,匹配参数S11约为 - 13 2dB。     

一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源

介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、温漂小、抗干扰能力强.电路选用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为250μm×350μm.经测量,电路功耗为0.9mW,输出差分参考电压的平均温度系数为9.5×10-6K-1.     

0.18μm CMOS工艺3.125Gb/s发送器的设计

介绍了一种采用深亚微米CMOS工艺实现单片集成发送器的设计.它适用于IEEE 802.3ae多通道10Gbps以太网接口(Ethernet).发送器主要由时钟发生器、多路选择器、占空比调整电路和片内阻抗匹配的线驱动器组成.为了提高传输速率发送器采用多相时钟结构,并且针对该种结构对发送器的功耗进行了系统优化.文中设计的电路采用0.18μm工艺仿真,总体功耗为95mW,线驱动器差分输出幅度为1600mV,发送器的系统抖动为50ps.