居住空间设计各要素的运用浅析

本文通过对居住空间各个设计要素的分析,结合实例总结了各设计要素关系与运用的几条原则,试论述居住空间设计中应该以人为前提,从理性的因素入手.     

世界反法西斯战争中国战区胜利纪念馆

正纪念馆的建设是为了纪念侵华日军1945年9月9日在南京投降事件,凸显抗战胜利的主题。构思立意为胜利、圆满的情感表达。胜利纪念馆是侵华日军南京大屠杀遇难同胞纪念馆扩建工程的一个补充和延续,兼具开放性与公共性,日常性与纪念性。这里是一个容纳历史记忆与当前生活,胜利喜悦与死亡悲痛的场所,人们可以在这里纪念、休息、放松、漫步、     

何镜堂工作室

正八十年前,这里曾是大学教授的别墅。在相当长的时间里,这里缺乏维护修缮,呈现出一片凋零景象。从2005年起,我们对这一街区九栋废旧建筑进行逐步改造。在改造过程中,尽可能保持其外观和布局,改造内部空间,嵌入少量新建筑。结合地形起伏,组织空间序列。它既保持了传统建筑的文化特色,又容纳了全新的功能。     

浅析晚清岭南园林植物景观

通过对岭南四大名园的植物进行调查、分析,使我们对传统岭南园林植物景观有更全面的了解,对发扬传统岭南植物景观特色,创造富有地方特色和文化韵味的植物景观起到一定的借鉴作用。     

铌酸锌陶瓷的低温烧结与介电性能

采用传统固相反应法合成ZnNb2O6陶瓷粉体。系统研究了添加不同含量V2O5对ZnNb2O6陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明:其烧结温度降低到1 050℃,且当V2O5质量分数大于1.0%时有第二相ZnV2O6生成。添加V2O5后ZnNb2O6陶瓷的谐振频率温度系数向0方向偏移。当V2O5质量分数为1.0%的ZnNb2O6陶瓷在1 050℃烧结3h时,其介电性能为εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.5×10-6/℃(在1 MHz下)。     

Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷的低温烧结和微波介电性能

采用传统固相反应法制备了Cu掺杂的ZnTiNb2O8介质陶瓷,分别对其烧结特性、物相组成、显微结构及微波介电性能等进行了系统研究。结果表明：Cu掺杂及其氧化能显著降低ZnTiNb2O8的烧结温度至950 ℃;Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷微波介电性能在很大程度上由陶瓷致密度、物相组成和晶粒大小决定;Cu掺杂量为3.0wt.%的ZnTiNb2O8陶瓷在950 ℃烧结3 h具有较好的微波介电性能：εr=30.2,Q×f=27 537 GHz(f=6.774 3 GHz),τf=-57.1 μ℃-1,是极具应用前景的低温共烧陶瓷材料。     

侵华日军南京大屠杀遇难同胞纪念馆扩建工程

正建筑群形成了完整的叙事空间,像一部宏大的乐章,逐步展开:新纪念馆作为序曲,呈现史实;死亡之庭作为铺垫,酝酿情绪;"万人坑"遗址、祭场和冥思厅作为高潮,震撼心灵;和平公园作为尾声,寄托希望。充满象征性的建筑要素给予人们强烈的情感体验:在入口广场,铺满粗粝的碎石一直延续到屋顶之上,形成了死寂的氛围;十字     

风机盘管结构的几点改进

风机盘管在中央空调系统中大量使用，国内生产厂很多。因各生产厂生产设备、技术力量、管理方法之间差距很大，因此，产品质量也相差甚远，良莠不齐现象十分明显。风机盘管本身结构十分简单，但如果在有些结构细节方面进行优化处理，则其在性能方面会有很大提高。现就风机盘管的结构优化提出几点改进措施。     

建筑设计外观与室内空间组合的初探

在现代建筑设计中,如何合理组织各种空间,使整个设计更趋合理,造型更加美观,居住更加舒适至关重要.本文就主要阐述了建筑空间与建筑功能、建筑艺术、建筑技术、建筑环境的关系,以创造和谐统一的空间形态为目的,提出了建筑设计空间组合的原则和方法的一些思考.     

基于铌酸银微纳颗粒的介电复合材料的储能性能EI北大核心CSCD

分别采用固相法和溶胶-退火法合成了AgNO_(3)颗粒(分别定义为Ag NO_(3)-1和Ag NO_(3)-2),使用多巴胺对该颗粒进行表面修饰后,再以此为填充物,与P(VDF-HFP)聚合物基体复合,制备不同AgNbO_(3)填料比的(Dop@AgNbO_(3))-P(VDF-HFP)复合材料。采用X射线衍射分析仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱仪、阻抗分析仪和铁电工作站等表征了AgNO_(3)颗粒及其复合物的物相、微观结构,探究填料合成工艺及含量对复合材料介电及储能性能的影响规律。结果表明:同一种填料合成工艺下制备的(Dop@AgNbO_(3))-P(VDF-HFP)复合物,随着填料比增加,能量密度呈现先增加后减小的趋势,在填料比6%(体积分数)时获得最高储能密度。此外,在相同的填料比下,基于溶胶-退火法合成的Ag Nb O_(3)颗粒由于粒径较小,粒度分布较窄,比表面积较大,使得(Dop@AgNbO_(3)-2)-P(VDF-HFP)复合物的整体介电和储能性能优于(Dop@AgNbO_(3)-1)-P(VDF-HFP)复合材料。例如,6%(Dop@AgNbO_(3)-2)-P(VDF-HFP)复合材料在1 kHz时的介电常数为17.6,介电损耗小于0.05;在电场80k V/mm下的有效能量密度和效率分别为0.46J/cm^(3)和71.35%。