相变材料应用于建筑外墙的温度与能耗模拟

使用EnergyPlus能耗模拟软件对相变材料作为外墙表面隔热材料的应用效果进行模拟,在小空间和小型办公室的模型上,改变相变材料的相变温度、材料结构和用量等使用条件,并进一步考虑室内热源和不同气候区的影响,对比分析在空调季节里空间内部温度的变化情况和空调节能效果。模拟结果表明:相变温度稍高的相变材料更有利于夜间散热蓄冷,同时,结合双层复合结构可获得更好的温度抑制和节能效果;内热源的存在会提高房间空调能耗的基数,从而使相变材料空调节能率计算值降低,并且在一定程度上掩盖了相变材料对室内平均温度的抑制作用,尽管如此,相变材料在有内热源环境下使用时空调节能量仍与无内热源时相当。     

3 300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)是最重要的器件。3 300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电网等大功率领域,能显著提高效率,降低装置体积。在这些应用领域中,对功率器件的可靠性要求很高,为此,针对自主研制的3 300 V SiC MOSFET开展栅氧可靠性研究。首先,按照常规的评估技术对其进行了高温栅偏HTGB(high temperature gate bias)试验;其次,针对高压SiC MOSFET的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明,在高压SiC MOSFET中,漏源反偏时栅氧的电热应力较大,在设计及使用时应尤为注意。     

基于SiC基底的Y2O3/Al2O3堆栈MOS 电容的特性研究

通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积 Y2O3介质和Al2O3，形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质堆栈结构MOS电容，X射线光电子能谱(XPS)分析研究Al2O3/Y2O3堆栈结构氧化层介质之间以及氧化层与SiC晶圆之间的相互扩散和反应关系，研究不同金属电极MOS电容的C-V特性，Ni电极MOS电容具有良好的稳定性，对介质层的相对介电常数影响最小，Mg电极MOS电容的理想平带电压最小，同时氧化层陷阱密度最小，随着C-V测试频率的降低，氧化层电容Cox逐渐增加Al2O3/Y2O3介质层的相对介电常数逐渐增大，等效氧化层厚度(EOT)减小，平带电容电压减小。     

掺杂钒对TiO2薄膜光诱导超亲水性的影响

为了研究钒的掺杂对TiO2薄膜的接触角、晶型及晶粒粒径的关系,采用sol-gel制备了V2O5-TiO2复合薄膜和复合粉末并对其进行表征分析.实验发现,少量钒的加入使接触角下降到10°以下,随着钒摩尔分数的增加,接触角下降趋势变缓.X射线衍射(XRD)分析发现,添加V2O5能抑制TiO2金红石晶型的产生以及晶粒的生长,随着V2O5添加量的增加,金红石晶型质量分数不断减小,当V2O5的摩尔分数达到1.81%时,金红石晶型完全消失,添加摩尔分数为0.23%的V2O5后TiO2锐钛矿晶粒尺寸为27　nm,约为未添加V2O5时的1/2,同时发现薄膜的超亲水性与锐钛矿晶粒尺寸存在相关性.     

TiO2/SiO2复合薄膜的形成历程与超亲水性关系

考察了溶胶-凝胶法制备TiO2／SiO2复合薄膜过程中，正硅酸乙酯(TEOS)的水解时间与膜的超亲水性的关系，通过XRD分析了SiO2添加量对TiO2锐钛矿晶型的影响，并研究复合薄膜的表面处理对其亲水性的影响。实验发现，当无因次反应时间为0．4时，复合薄膜的亲水性最好；SiO2的引入能够抑制金红石晶型的生长，最佳含量在10～20％。     

防雾、自清洁玻璃表面纳米TiO2薄膜的研究进展

从超亲水性的原理出发，归纳了超亲水性的影响因素，分析了目前的研究现状，指出降低接触角、提高光敏性、增加保持时间是开发防雾、自清洁玻璃实用产品的关键，着重综述了这方面的研究进展，剖析了各因素的作用原理。     

大秦线集中修实施探讨

针对大秦线集中修的特点与工程实际情况,从施工前的安排计划、调度指挥、协调工作方面确定了集中修的实施管理办法,通过实践收到了明显的效果,为类似工程的施工积累了经验。     

星载激光测高仪测量森林的回波信号处理

星载激光测高仪的回波信号能够灵敏反映地面植被组成和地表高度的变化,因此能够用于探测森林地貌;首先对星载激光测高仪的森林回波信号及其处理方法进行了介绍,探讨了在不考虑植被聚集情况下,植被组成与回波信号之间的关系;由于植被的聚集效应,例如树叶群集成树冠,会导致植被组成参数与真实值之间存在差异,这需要建立关于三维的空间分布模型加以解决.     

Characterization of the effects of nitrogen and hydrogen passivation on SiO2/4H-SiC interface by low temperature conductance measurements

In this work we investigate the effects of NO annealing and forming gas (FG) an-nealing on the electrical properties of SiO2/SiC interface by low-temperature con-ductance measurements. With nitrogen passivation, the density of interface states (DIT) is significantly reduced in the entire energy range, and the shift of flatband voltage, ΔVFB, is effectively suppressed to less than 0.4 V. However, very fast states are ob-served after NO annealing and the response frequencies are higher than 1 MHz at room temperature. After additional FG annealing, the DIT and ΔVFB are further re-duced. The values of the DIT decrease to less than 1011 cm-2eV-1 for the energy range of EC-ET≥0.4 eV. It is suggested that the fast states in shallow energy levels origi-nated from the N atoms accumulating at the interface by NO annealing. Though FG annealing has a limited effect on these shallow traps, hydrogen can terminate the re-sidual Si and C dangling bonds corresponding to traps at deep energy levels and im-prove the interface quality further. It is indicated that NO annealing in conjunction with FG annealing will be a better post-oxidation process method for high perfor-mance SiC MOSFETs.     

SiO2/4H-SiC界面氮化退火

通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层.为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数.制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数.实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012 cm-2·eV-1@0.2 eV,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V-1·s-1.