复合纤维沥青混合料路用性能研究

为研究KTLG2改性和KTLF1复合改性纤维对沥青混合料路用性能的影响,选取木质素纤维、玄武岩矿物纤维,在纤维最佳掺量下通过车辙试验、低温弯曲试验、抗疲劳试验、浸水马歇尔和冻融劈裂试验,分别对沥青混合料的高温稳定性、低温抗裂性、抗疲劳性能和水稳定性进行分析。结果表明:复合纤维的高温性能与普通沥青混合料、木质素纤维和玄武岩纤维相比有较大程度提高;复合纤维的低温应变能较普通沥青混合料有较大幅度增长,与其他两种纤维相比也有优势;两种复合纤维的疲劳性能差异不大,比普通沥青混合料、木质素纤维和玄武岩纤维有明显提高;复合纤维的水稳定性较其他两种纤维均有较大提高。     

一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现

从生物神经元的电化学特性出发,基于积分发放(I&F)电路理论模型,提出了一种新型的结构紧凑的脉冲编码CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串.该模型的优点在于大大简化了模型结构,其运行结果很好地拟合了神经元的生理特性,且在工艺参数不可调节的情况下,可通过输入信号灵活控制电路结构,改变输入耦合权重,从而实现对输...     

“互联网+”环境中利用博客开展高中信息技术分层教学

《普通高中信息技术课程标准(2017年版)》在实施建议中指出:“教师可以通过设立多级学习目标和多样的学习方式,让不同的学生都能根据自己的实际需要选择到合适的内容。”“教师可以根据学生的能力差异、水平差异针对性地实施分层次教学。”博客作为一种新型的个人信息的发布形式和交流工具,为高中信息技术开展分层教学提供了便利的条件。     

智能剥离工艺的热动力学模型(英文)

提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型 ,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果 .氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能 ,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数 .氢气泡的临界半径可根据 Griffith能量平衡条件来获得 .根据氢气泡增长的这一临界条件 ,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间     

直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为．硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能．将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较．硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大．键合能的饱和时间与激活能密切相关．     

某城市立交桥施工膺架结构静力及稳定性分析

以某城市立交工程为例,对工程采用的施工膺架作了简介,从贝雷梁、横向支撑梁、钢管立柱等方面入手,使用大型有限元软件对整个施工膺架进行了全部结构的静力荷载响应与稳定性分析,指出施工膺架的最大沉降位移发生在1/8跨处;贝雷梁与钢管独柱间架设横向支撑梁,可以减少应力集中,有利于整个结构的受力。     

硅基太阳电池的表面纳米织构及制备

综述了用于硅基太阳电池高效陷光的四种表面纳米织构,即金属纳米颗粒、纳米线、纳米锥和纳米孔。相对于其他三种表面纳米织构,纳米孔具有更好的结构特性和陷光能力。详细介绍了各种表面纳米织构的制备方法,如金属薄膜退火、金属诱导化学腐蚀、干法刻蚀、深紫外光刻和纳米球光刻等。通过表面纳米织构提高效率是太阳电池领域的重点研究内容。表面纳米织构以其优异的光电特性,将在未来高效光伏器件中得到重要应用。     

Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs

Comparisons are performed to study the drive current of accumulation-mode(AM) p-channel wrap-gated Fin-FETs.The drive current of the AM p-channel FET is 15%-26%larger than that of the inversion-mode (IM) p-channel FET with the same wrap-gated fin channel,because of the body current component in the AM FET, which becomes less dominative as the gate overdrive becomes larger.The drive currents of the AM p-channel wrap-gated Fin-FETs are 50%larger than those of the AM p-channel planar FETs,which arises from effective conducting surface broadening and volume accumulation in the AM wrap-gated Fin-FETs.The effective conducting surface broadening is due to wrap-gate-induced multi-surface conduction,while the volume accumulation,namely the majority carrier concentration anywhere in the fin cross section exceeding the fin doping density,is due to the coupling of electric fields from different parts of the wrap gate.Moreover,for AM p-channel wrap-gated Fin-FETs, the current in channel along <110> is larger than that in channel along <100>,which arises from the surface mobility difference due to different transport directions and surface orientations.That is more obvious as the gate overdrive becomes larger,when the surface current component plays a more dominative role in the total current.     

直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度 ,是退火温度和时间的函数 ,界面反应激活能决定着成键的行为 .硅片键合能随退火温度分两步增加 ,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能 .将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较 .硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大 .键合能的饱和时间与激活能密切相关     

智能剥离工艺的热动力学模型

提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数.氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得.根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间.