86.5GHz下输出功率257mW的 W波段GaN MMIC放大器

我们报道了一个三级W波段GaN MMIC功率放大器。考虑到W波段MMIC的耦合效应,所有的匹配电路和偏置电路都是先进行电路仿真以后,再用3D电磁场仿真软件进行系统的仿真。此MMIC功率放大器在频率为86.5GHz下输出功率能达到257mW,相应的功率附加效率(PAE)为5.4%,相应的功率增益为6.1dB。功率密度为459 mW/mm。另外,此MMIC功率放大器在83 GHz到90 GHz带宽下有100mW以上的输出功率。以上特性都是在漏极电压为12V时测试得到。     

分析影响电子皮带秤计量准确性的几个因素

从实际运用出发,分析了电子皮带秤在使用过程中由于物料下料状况、速度传感器、工艺环境因素等原因对电子皮带秤计量准确性造成的影响,并提出了无速度传感器时电子皮带秤使用中应注意的问题。     

X波段GaN HEMT内匹配器件

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从1E-4A量级减小到了1E-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性. 采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%. 2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.     

低氢碱性结构钢焊条脱渣性的研究

论述了我国低氢碱性焊条的研究和生产概况,分析了改进碱性焊条工艺性能的途径,提出了通过分析熔渣相结构研究焊条的新方法,并指出了决定碱性焊条脱渣难易的主要因素是马氏体转变点的高低,而不是仅仅取决于熔渣的膨胀系数。     

GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究

可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。     

低信噪比下对称三角线性调频信号参数估计

低截获概率雷达的广泛应用导致电子侦察系统截获到的雷达信号大多处于低信噪比环境中。针对目前雷达信号参数估计算法在此环境中性能急剧下降,甚至失效的问题,提出一种基于多相滤波器组和高阶累积量联合处理的对称三角线性调频连续波信号参数估计算法。该算法利用多相滤波器组实现信号在频域上的快速均匀划分,对输出的每个子带信号进行三阶累积量对角切片的短时估计,有效抑制了高斯噪声的干扰,并经过包络检波后得到信号完整的时频矩阵,通过对时频图像进行Radon变换得到信号带宽、周期以及调频斜率的估计,频率曲线的提取得到信号起止频率的估计。仿真结果表明:方法在信噪比大于-12dB时的估计正确率较高。     

基于高阶累积量的LPI雷达信号检测

低截获概率（LPI）雷达的广泛应用导致电子侦察系统难以从噪声中检测到LPI信号的存在。针对这一问题,提出一种基于多相滤波器组和高阶累积量联合处理的121雷达信号检测算法。该算法首先利用多相滤波器组实现信号在频域上的快速均匀划分,然后对输出的每个子带信号进行三阶累积量对角切片短时估计,有效抑制高斯噪声,并设计检测器对每个子带信号进行信号存在性检测,进而判断整个信号中是否含有有用信号。仿真结果表明,该方法的检测性能远优于传统的能量检测器,在信噪比大于-20dB时具有较高的检测概率。     

330 GHz单片集成分谐波混频器

根据反向并联二极管的外围结构和材料构成,以四端口S参数包的形式建立了二极管结外围无源结构的三维电磁模型,与非线性仿真软件中的肖特基结模型结合起来建立太赫兹二极管对的完整模型,这样的处理方法提高了计算机仿真的准确性。分谐波混频电路制作在12m厚度的砷化镓基片上,单片电路悬置安装在本振和射频中间剖开的减高波导腔体内。在本振5 mW功率注入时混频单片在330 GHz的频带范围内最小插损为10 dB。因为单片集成电路以四个梁式引线与波导外壁柔性连接,一端固定在波导壁上,混频单片电路能够释放腔体随温度变化而产生的机械应力。     

410t/h燃煤锅炉的优化燃烧试验

我国目前一年总耗煤量约12Tt，其中火电燃煤量占总耗煤量的较大份额。提高机组效率，减少二氧化碳等的排放历来被人们所重视，本文介绍了某410t/h锅炉的优化燃烧试验，可以对锅炉的优化燃烧试验有一定的指导意义。     

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(L_sd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,V_gs= 1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件f_T达到220 GHz、最大振荡频率(f_max)达到48 GHz。据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。