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1.
GIS技术是近些年发展速度较快的一种空间信息分析技术,在城市规划编制与环境应用领域发挥着至关重要的作用。本文阐述了GIS技术与城市规划之间的关系,重点就GIS技术在城市规划编制中的应用进行探讨,并结合应用实例加以说明,以供类似研究借鉴。 相似文献
2.
3.
新型矿用立井乘人罐笼罐帘门 总被引:4,自引:0,他引:4
本文对各种乘人罐笼罐帘门的优、缺点进行了较详细的分析 ,提出了通用性强的高强度轻型罐帘门设计原则、设计中应解决的关键性问题及设计方案 ,并对该方案进行了较为客观的评价。 相似文献
4.
主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO2薄膜,通过改变非晶SiO2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命.实验发现在840℃下生长的非晶SiO2薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高约90%.此外,为优化SiO2/SiNx双层膜的减反射作用,采用Matlab程序计算SiO2/SiNx双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合.实验发现生长有SiO2钝化膜的SiO2/SiNx双层膜太阳电池相对单层SiNx膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mV,转换效率提高约9%. 相似文献
5.
6.
综合对比分析气浮净水系统中不同加压溶气工艺、混气溶气工艺的溶气效率和综合净水效能,实验分析了部分溶气工艺能耗和净水成本. 相似文献
7.
长期以来 ,离心式水泵性能测定和曲线绘制工作无论是对生产厂家还是对用户都是很必要 ,但又是很繁杂的 .随着计算机技术的发展 ,数学正以其解决实际问题的卓越能力进入到各种领域 .从而使离心式水泵性能测定和曲线绘制工作得以简化 .MATLAB的出现又使离心式水泵的性能曲线的绘制达到了更加快速、准确、直观 . 相似文献
8.
基于c-Si(P)衬底的a-Si/c-Si异质结模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文中研究了影响 a-Si/c-Si 异质结界面复合的主要因素: 表面固定电荷 ,缺陷态载流子俘获界面: ,以及界面缺陷态密度 。当缺陷能级 接近c-Si本征能级,且 满足时,缺陷态复合中心复合速度达到最大。AFORS-HET 软件模拟显示, a-Si/c-Si界面能带不连续显著影响电池Voc、界面缺陷态密度大于1*1010 cm-2.eV-1时,界面态密度的增加会严重降低电池Voc,但其对电池电流密度影响不大。对于c-Si (P)/a-Si (P ) 结构异质结,C-Si衬底的势垒 和a-Si材料内的势垒 对降低c-Si (P)/a-Si (P ) 结构的接触电阻和界面复合速度,表现各不相同。 相似文献
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10.
介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率达15.7%的单体电池(面积103×103mm2).实验采用PECVD方法制备SiNx减反、钝化薄膜,并采用正背面电极一次金属化烧结技术,同时完成氮化硅薄膜烧穿工艺.实验还研究了PECVD硅烷与氨气流量比对SiNx钝化、光学和保护性质的影响.分析了氮化硅薄膜及简化新工艺与提高太阳电池效率的关系.实验最后采用化学染色法测量了太阳电池的p-n结结深,结果表明该太阳电池的p-n结为0.25 μm的浅结,直接证明了SiNx薄膜对p-n结有良好的保护作用. 相似文献