有序合金Ni3Si脆性改善研究进展

从微合金化，宏合金化，细化晶粒3个方面介绍改善Ni3Si合金脆性的研究进展。微合金化虽可提高Ni3Si的室温韧性，但效果并不明显，而宏合金化虽可在一定温度范围内提高Ni3Si合金韧性，有些元素降低高温韧性或室温韧性；细化晶粒提高Ni3Si韧性的效果产不明显。合金成分富Ni化，多元素宏合金化与微合金化相结合是改善Ni3Si有序合金脆性的最佳方法。     

上海明珠线中潭路车站结构设计

以上海明珠线中潭路车站结构设计为例 ,分析比较了高架轻轨车站在荷载取值、工况、内力组合、结构计算等方面不同于一般民用建筑的特殊性 ,探讨了温度变化、支座沉降产生的内力对结构配筋的影响 ,介绍了 2 8m跨度预应力箱梁的有限元计算及配筋 ,为以后此类结构的设计提供了参考。     

集美大学工科实验楼冰蓄冷空调工程分析

对集美大学工科实验楼冰蓄冷空调项目的设计和运行进行分析，实际进行表明，冰蓄冷实验室兼顾大楼空调的设计具有许多优点。采用蓄冰空调可以保证负荷很小时系统仍高效地正常运行，与采用常规空调进行技术经济比较的结果表明，对于空调面积在3000m^2的实验楼或办公楼，采用冰蓄冷空调所增加的投资可以在2～3年内回收。     

溶胶-凝胶法制备三元金属氮化物薄膜及其最新研究进展

三元金属氮化物薄膜是一类在电子、铁磁等领域具有广阔应用前景的新材料,主要有立方金属(反)钙钛矿和立方η碳化物(η-carbide)两种结构类型,由于其卓越的性能如高硬度、超导性、催化性以及各种不同的磁学性能而引起人们广泛的研究。本文主要介绍了三元氮化物结构特性以及溶胶-凝胶法(Sol-gel)在这些氮化物制备方面的应用,阐述并分析了溶胶-凝胶法的优缺点;简述了溶胶-凝胶法制备其他三元金属氮化物薄膜(如铁磁薄膜)的应用;最后指出了溶胶-凝胶法目前存在的一些问题。     

蓄冷蓄热技术与抽水蓄能电站技术经济比较

对蓄冰空调技术和抽水蓄能电站作了技术经济比较,提出应给予推广蓄冰空调技术以优惠政策,发展蓄冰空调技术,缓建部分抽水蓄能电站,具有较好的社会经济效益。     

c轴取向的M-型SLFCO铁氧体薄膜的制备及磁性能

采用化学溶液沉积法在Al2O3（001）单晶衬底上制备SLFCO铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有c轴取向的单相结构,空间群为P63/mmc;AFM结果表明样品颗粒呈柱状,平均颗粒尺寸在50～100nm之间。SLFCO铁氧体薄膜具有高的室温饱和磁化强度（130A/m）,矫顽力（549.24kA/m）和大的矩形比（0.9）,这些性能表明SLFCO铁氧体薄膜是一种非常有潜在应用价值的高密度磁记录材料。     

低放热系Ni3Si有序合金的活化燃烧合成

采用机械活化燃烧合成技术配合预热，制备低放热反应体系的Ni3Si有序合金。用X－射线衍射仪和扫描电子显微镜观察分析反应物和生成物的形貌与物相组成。结果表明，产物主晶相为Ni3Si及少量Ni3Si2和Ni3Si2等富硅相的混合物。研磨时间越长，预热温度越高，燃烧合成反应越容易。     

铜过量对CuxAlO2(1≤x≤1.06)电学性能的影响

采用溶胶.凝胶法制备了铜铁矿结构CuxAlO2陶瓷体材.当1≤x＜1.04时,样品为纯铜铁矿相,当x≥1.04时,样品中出现了微弱的CuO相.样品Cu1.04AlO2的室温电导率比名义组分CuAlO2大了近一个数量级.研究表明,替位式缺陷CuAl(Cu2+离子取代Al3+离子)是导致电导增加的主要受主缺陷机制,Cu过量CuxAlO2的分子式可更准确地表示为Cu(Al1-yCuy)O2.     

Ce_(1-x)Sm_xO_(2-y)缓冲层的化学溶液法制备

采用化学溶液法在NiW(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2,1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明,化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层;在x=0和x=0.2的情况下,所制备的缓冲层有裂纹产生;但是随着x的增加,开裂现象被逐步抑制。对x=1的Sm2O3缓冲层而言,当厚度增加到120nm时依然没有产生裂纹,表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲层而得以使用。     

Co:TiO2稀磁半导体研究进展

Co:TiO2作为一种很有希望在自旋电子学器件中获得重要应用的室温稀磁半导体材料,最近几年获得了广泛关注.首先介绍了该体系的制备方法,如分子束外延、溅射、化学方法等,然后就Co:TiO2薄膜的输运性质和磁性作了敲为详细的阐述,对比较有争议的微结构和磁性起源问题也进行了探讨.归纳总结了目前在各方面的进展和存在的问题,并针对这些问题提出了今后的一些研究方向.