某制药废水处理改造工程实例

随着产品种类的多样化与产品产量的提升,连云港某制药公司原有污水处理工艺设施已无法满足处理要求,经过改造,形成水解酸化+IC+好氧为主体,以MBR为深度处理的处理工艺,最终出水达到《污水排入城镇下水道水质标准》。     

泡菜废水处理工程设计及运行

针对泡菜废水高COD、高NH_3-N,高盐分等特点,采用隔油、调节池+UASB+氧化沟+二沉池+三沉池+精密过滤器处理工艺,为节约运行成本,采取常温厌氧处理,选取氧化沟工艺,磁悬浮风机曝气,剩余污泥厌氧消化及沼气回收利用等措施。实际运行结果表明,COD、NH_3-N、TN、TP去除率分别约为99%、99%、96%、99%,排放水COD在20～30 mg/L,NH_3-N、TN、TP的质量浓度分别为1～2、5～10、0.2～0.3 mg/L,可稳定达到DB51 2311-2016排放标准。直接运行费用约2.7元/m~3。     

消防安全深植民心——山东省“清剿火患”战役行动向纵深推进

“2．9万家消防安全重点单位排查率100％、31．6万家‘九小’场所排查率100％……”在“清剿火患”战役行动中,山东省明确提出“十个100％”标准,通过建立四级网格化火灾隐患排查体系,组织发动全民参与清剿火患,开展贴近民生的消防宣传教育活动,使“清剿火患”战役行动向纵深发展。     

以企业文化为载体，有效提升思想政治工作水平

思想政治工作是党的工作的重要组成部分,是实现党的领导的重要途径和社会主义精神文明建设的重要内容,也是搞好经济工作和其它一切工作的有力保证。企业文化建设是传统的恩想政治工作与现代企业管理相结合的产物,是企业内聚人心、外树形象的有效途径,是现代企业生存发展的一项基础工作。二者都是润滑剂,我们要把日常的思想政治工作和以此为中心营造的企业文化建设融为一体,相得益彰,提升思想政治工作水平,使企业健康发展。     

静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面     

质子和中子的单粒子效应等效性实验研究

通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系，实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度，并利用热释光剂量计（TLD）进行质子注量的监测，采用新研制的存储器长线实时监测系统，进行了64K位至4M位的SRAM器件单粒子效应实验，确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系。     

装备冗余系统费用优化方法研究

研究系统的可靠性从纯经济的角度说,就是以最小的资源获取最大的效益,针对装备中的两类冗余方案,特别是部件冗余方案,在可靠度确定的情况下,在Tillman并联系统费用模型的基础上实现系统设计最小成本的方法。     

单粒子效应辐射模拟实验研究进展

应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究.采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14 cm2/bit量级.利用重离子加速器和锎源进行了SRAM的单粒子效应实验.研究其单粒子翻转截面与重离子线性能量传输(LET)值的关系,得到了单粒子翻转阈值和饱和截面.实验表明252Cf源单粒子翻转截面与串列加速器的重离子单粒子翻转截面一致,说明对于SRAM,可以用252Cf源替代重离子加速器测量单粒子翻转饱和截面.与中国原子能研究院、东北微电子研究所合作开展了国内首次重离子微束单粒子效应实验.建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区.应用14MeV强流中子发生器进行了SRAM单粒子效应实验,测得了64K位至4M位SRAM器件14MeV中子单粒子翻转截面.用α源进行SRAM单粒子效应辐照实验,模拟封装材料中的232Th和238U杂质发射出的α粒子导致的单粒子翻转.测量α粒子射入SRAM导致的单粒子翻转错误数,计算单粒子翻转截面和失效率,比较三种器件的抗单粒子翻转能力,为器件的选型提供依据.并开展了路由器的α粒子辐照实验,复演了路由器在自然环境中的出错情况,为路由器的设计改进提供了依据.     

静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究

描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为１０＾－１４ｃｍ＾２／ｂｉｔ量级,随质子能量的增大略有增大。     

功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟

建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法,对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟,模拟结果与文献中提供的数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。