全站仪测定线路横断面方法研究

从道路中心线任意点的坐标，推算离中桩距离为D的任意点K的坐标及任意测站点O的坐标,由全站仪利用极坐标的原理精确测定K点相对于中桩的位置。     

浅谈碱负荷对酒钢高炉指标影响及降低碱负荷措施

受资源限制,长期以来酒钢高炉碱、锌负荷均维持在较高水平。高炉碱、锌负荷升高后,各高炉均不同程度表现出指标变差、风口破损增多、更换风口时锌金属流出、炉喉钢砖及煤气上升管结瘤等现象。     

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响

用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱，结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10％的区域，而组分梯度区则影响吸收边斜率．横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率，当组分均方差小于0.005时，横向组分波动对透射光谱影响可以忽略．用新的组分分布模型计算了HgCdTe/CdZnTe液相外延薄膜的理论透射光谱，并运用非线性二乘法使理论曲线能够很好地与实验结果吻合，从而获得了更加可信的HgCdTe外延薄膜的纵向组分分布和厚度参数．     

应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较

本文提出了High-low multi-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度.结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流.同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性.由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动.通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷精度的一种重要技术.     

自行走式隧道施工中装配式塑料管道合理支护形式试验研究

采用装配式塑料管道为新型自行走式隧(管)道施工提供配套支护技术.需要研究管道的支护强度、管道变形等相关参数.将整体聚乙烯(PE)中空壁缠绕管沿管壁轴向切割成片,再焊接拼装成环.选择管道周向的分片数目和拼装角度作为试验的2个因素,采用双因素实验方法,并参考管道环刚度测试方法,在环刚度试验机上对分片拼装后的管道进行承压实验.以塑料管道在径向变形最大达到15%时的承载力为承载极限,经对实验结果分析后选出合理的管道拼装分片数目和角度.结果表明,拼装角度对强度的影响最为显著,分片数目次之.合理支护形式为:管道周向均分成4片,并将4条分割缝分别置于与水平和铅垂方向旋转45°的位置.     

HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应

通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响.发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构,而这种镶嵌结构可通过合理的热处理工艺消除.     

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的X射线衍射

采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1 - x Cdx Te液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响.衬底与外延层之间的互扩散区约为2～3μm,在此区域,摇摆曲线半峰宽变窄,表明从衬底扩散来的Zn元素降低了界面处的位错密度.通过测量晶格常数随厚度的变化,得到了Cd组分的纵向分布,表面组分低,越靠近衬底组分越高,组分分布呈非线性变化,符合指数衰减关系     

0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术

分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制.结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素.界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因.     

Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的X射线衍射

采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响.衬底与外延层之间的互扩散区约为2～3μm,在此区域,摇摆曲线半峰宽变窄,表明从衬底扩散来的Zn元素降低了界面处的位错密度.通过测量晶格常数随厚度的变化,得到了Cd组分的纵向分布,表面组分低,越靠近衬底组分越高,组分分布呈非线性变化,符合指数衰减关系.     

热轧实验轧机机架强度的有限元分析

采用有限单元法分析计算了马钢技术中心热轧实验轧机机架的强度，对机架典型位置的应力进行了分析。